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发明公开
半导体装置和包括该半导体装置的电子系统审中-实审

公开(公告)号：CN115249712A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202210150868.4

申请日：2022-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜相敏 , 金成吉 , 林芝承

IPC: H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/11548 , H01L27/11529

Abstract: 公开了半导体装置和包括该半导体装置的电子系统。该半导体装置包括：堆叠结构，其包括竖直地堆叠在半导体层上的电极；源极半导体图案，其位于半导体层与堆叠结构之间；支撑半导体图案，其位于堆叠结构与源极半导体图案之间；以及竖直结构，其穿透堆叠结构、支撑半导体图案和源极半导体图案。竖直结构包括竖直沟道图案，在竖直沟道图案中，侧壁的一部分与源极半导体图案接触。竖直沟道图案包括与堆叠结构相邻的上部分、与源极半导体图案相邻的下部分和与支撑半导体图案相邻的中部。上部分具有第一直径。下部分具有第二直径。中间部分具有小于第一直径和第二直径的第三直径。

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