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公开(公告)号：CN118825024A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202311464007.4
申请日：2023-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H10B10/00
Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底，包括第一有源区和第二有源区，其中，边界设置在所述第一有源区与所述第二有源区之间；器件隔离层，在所述衬底上位于所述第一有源区与所述第二有源区之间的沟槽中；第一沟道图案和第一源极/漏极图案，位于所述第一有源区上；第二沟道图案和第二源极/漏极图案，位于所述第二有源区上；第一栅电极，位于所述第一沟道图案上并且跨越所述第一有源区延伸；第二栅电极，位于所述第二沟道图案上并且跨越所述第二有源区延伸；以及有源接触，位于所述第一源极/漏极图案和所述第二源极/漏极图案上。所述器件隔离层包括位于所述第一有源区之间的突起结构。所述突起结构与所述边界相邻。
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