公开(公告)号：CN119697987A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202410770766.1

申请日：2024-06-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  汉阳大学校产学协力团

Inventor： 朴镇成 ,  高志呟 ,  李昇嬉 ,  金俞琳 ,  卓容奭 ,  金东奎

IPC: H10B12/00 ,  H10B63/10 ,  H10B63/00

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括半导体图案、位于所述半导体图案上的电介质层和位于所述电介质层上的导电图案。所述半导体图案和所述电介质层中的每一者包括杂质。所述电介质层包括杂质的浓度分布，所述杂质的浓度分布包括第一变化区段和第二变化区段，所述第一变化区段包括贯穿所述电介质层朝向所述半导体图案减小的杂质的第一浓度，所述第二变化区段包括贯穿所述电介质层朝向所述半导体图案减小的杂质的第二浓度。

公开(公告)号：CN118382291A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410031749.6

申请日：2024-01-09

Applicant: 三星电子株式会社 ,  汉阳大学校产学协力团

Inventor： 朴镇成 ,  李昇嬉 ,  卓容奭 ,  金东奎 ,  金俞琳 ,  金台原 ,  李东炫

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体存储器件。半导体存储器件包括：在衬底上沿第一方向延伸的位线，设置在位线上的第一沟道图案，设置在位线上并在第一方向上与第一沟道图案间隔开的第二沟道图案，设置在第一沟道图案与第二沟道图案之间并沿第二方向延伸的第一字线，设置在第一沟道图案与第二沟道图案之间、沿第二方向延伸并在第一方向上与第一字线间隔开的第二字线，及分别设置在第一沟道图案和第二沟道图案上并且分别连接到第一沟道图案和第二沟道图案的第一电容器和第二电容器，第一沟道图案和第二沟道图案均包括包含铟(In)、镓(Ga)和锡(Sn)的第一金属氧化物图案，并且在第一金属氧化物图案的空间组成分布中，锡峰的位置不同于镓峰的位置。

公开(公告)号：CN116960156A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310078180.4

申请日：2023-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金台原 ,  金俞琳 ,  李昇嬉 ,  张胜愚 ,  卓容奭

IPC: H01L29/10 ,  H10B12/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/00

Abstract: 提供了半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：位线；沟道图案，包括位线上的水平沟道部分和从水平沟道部分竖直突出的竖直沟道部分；字线，在水平沟道部分上，并且在竖直沟道部分的侧壁上；以及栅极绝缘图案，在字线与沟道图案之间。沟道图案包括氧化物半导体，并且包括顺序堆叠的第一沟道层、第二沟道层和第三沟道层。第一沟道层至第三沟道层包括第一金属，并且第二沟道层还包括与第一金属不同的第二金属。第一沟道层的至少一部分接触位线。