半导体装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108398997B

    公开(公告)日:2024-02-20

    申请号:CN201810081772.0

    申请日:2018-01-29

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置。一种半导体装置包括:监测电路,所述监测电路从电源管理集成电路接收第一操作电压及与所述第一操作电压不同的第二操作电压,并监测系统芯片以所述第一操作电压及所述第二操作电压中的每一者进行使用的持续时间;处理电路,其基于来自所述系统芯片以所述第一操作电压及所述第二操作电压中的每一者进行使用的所述持续时间的预定权重信息来计算正规化值;以及电压电路,通过将所述正规化值与预定值进行比较来判断是否增大所述系统芯片的操作电压。

    半导体装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108398997A

    公开(公告)日:2018-08-14

    申请号:CN201810081772.0

    申请日:2018-01-29

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置。一种半导体装置包括:监测电路,所述监测电路从电源管理集成电路接收第一操作电压及与所述第一操作电压不同的第二操作电压,并监测系统芯片以所述第一操作电压及所述第二操作电压中的每一者进行使用的持续时间;处理电路,其基于来自所述系统芯片以所述第一操作电压及所述第二操作电压中的每一者进行使用的所述持续时间的预定权重信息来计算正规化值;以及电压电路,通过将所述正规化值与预定值进行比较来判断是否增大所述系统芯片的操作电压。

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