公开(公告)号：CN101246738A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200810085674.0

申请日：2008-01-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔珍赫 ,  李奉烈

IPC: G11C7/10 ,  G11C29/24 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C16/102 ,  G06F11/1441 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/105 ,  G11C29/00

Abstract: 提供了一种存储系统和编程方法。该存储系统包括闪存和存储器控制器。闪存在多级存储单元中存储第一位数据，然后存储第二位数据。存储器控制器包括临时存储第一位数据和第二位数据的缓冲存储器，以及在闪存存储第二位数据时存储第一位数据的备份存储器。当检测到与存储第二位数据相关联的编程故障时，备份存储器将第一位数据重新编程到闪存中。

公开(公告)号：CN101025941A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200610064258.3

申请日：2006-10-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金秀容 ,  李奉烈

IPC: G11B7/0045 ,  G11B7/007 ,  G11B7/125

CPC classification number: G11B7/1263 ,  G11B7/0062

Abstract: 一种用于控制供光盘使用的光源的方法和设备，利用包括多脉冲序列的写信号来驱动所述光源，所述方法和设备包括：检测光源的输出并且输出监控电压、以及根据监控电压补偿对应于多脉冲序列的多脉冲电压的补偿器。所述补偿可以根据参考电压和监控电压的比较、监控电压越过参考电压的次数、或者在初始化期间确定的在写信号稳定部分与多脉冲序列之间的关系来调整多脉冲序列。

公开(公告)号：CN101246738B

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN200810085674.0

申请日：2008-01-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔珍赫 ,  李奉烈

IPC: G11C7/10 ,  G11C29/24 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C16/102 ,  G06F11/1441 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/105 ,  G11C29/00

Abstract: 提供了一种存储系统和编程方法。该存储系统包括闪存和存储器控制器。闪存在多级存储单元中存储第一位数据，然后存储第二位数据。存储器控制器包括临时存储第一位数据和第二位数据的缓冲存储器，以及在闪存存储第二位数据时存储第一位数据的备份存储器。当检测到与存储第二位数据相关联的编程故障时，备份存储器将第一位数据重新编程到闪存中。

公开(公告)号：CN101266835A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810095145.9

申请日：2008-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李奉烈

IPC: G11C16/06

CPC classification number: G11C11/5628 ,  G11C2211/5641

Abstract: 一种存储器系统，包括闪存，存储器控制器以及MLC模式选择器。该闪存包括至少一个存储器单元，该存储器单元被配置成将多比特数据存储在其内。MLC模式选择器被配置成响应于用户选择而产生一个用以指示在存储器单元中是否存储单比特数据还是多比特数据的模式选择信号。该存储器控制器被配置成根据来自MLC模式选择器的模式选择信号，用于在单级单元(SLC)模式中操作闪存来存储单比特数据，或者在多级单元(MLC)模式中操作闪存来存储多比特数据。该存储器设备可以被配置成存储关于存储器单元的编程模式信息，其中该信息表明在其内存储的是单比特数据还是多比特数据。此外，在这里还论述了相关的系统和操作方法。