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公开(公告)号：CN110896065A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910514165.3
申请日：2019-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L43/02 , H01L43/08
Abstract: 提供了一种半导体器件，其包括位于衬底上的导电结构、位于所述导电结构上的蚀刻停止层、位于所述蚀刻停止层上的绝缘层以及延伸穿过所述蚀刻停止层和所述绝缘层并接触所述导电结构的接触插塞。所述接触插塞可以包括顺序堆叠并彼此接触的第一导电图案结构和第二导电图案结构。所述第一导电图案结构的上表面的宽度可以大于所述第二导电图案结构的下表面的宽度。所述第一导电图案结构的至少上部可以具有不垂直于所述衬底的上表面而是相对于所述衬底的所述上表面倾斜的侧壁。
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