公开(公告)号：CN101303977A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200810127783.4

申请日：2008-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴玟俊 ,  姜昌珍 ,  金东贤

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明公开了形成金属氧化物层图案的方法及制造半导体装置的方法。在基板上形成金属氧化物层图案的方法包括：在基板上提供初步金属氧化物层；蚀刻该初步金属氧化物层以提供初步金属氧化物层图案，其线宽在垂直向下的方向上逐渐增加；以降低该初步金属氧化物层图案的下部线宽的方式蚀刻该初步金属氧化物层图案，形成金属氧化物层图案。制造半导体装置的方法包括在基板上形成金属氧化物层和第一导电层；蚀刻该金属氧化物层以提供初步金属氧化物层图案，其线宽在垂直向下的方向上逐渐增加；蚀刻该第一导电层以提供第一导电层图案；和以降低该初步金属氧化物层图案的下部线宽的方式蚀刻该初步金属氧化物层图案，以提供金属氧化物层图案。

公开(公告)号：CN115993951A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202211268517.X

申请日：2022-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高荣涉 ,  朴玟俊

IPC: G06F7/523 ,  G06F7/46 ,  G06F17/16

Abstract: 一种装置，包括：多个寄存器；解码电路，被配置为解码第一指令；以及执行电路，被配置为：基于经解码的第一指令来识别模式、对第一矩阵数据进行存储的第一寄存器、对第二矩阵数据进行存储的第二寄存器、以及对第三矩阵数据进行存储的第三寄存器，基于模式来选择第一矩阵数据的列和第二矩阵数据的行，以及基于第一矩阵数据的所选列、第二矩阵数据的所选行和第三矩阵数据来执行乘法累加(MAC)运算。