公开(公告)号：CN102386161B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201110265698.6

申请日：2011-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩元吉 ,  河承源 ,  李龙济 ,  朴汉基

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L22/32 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5256 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/06515 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4912 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06596 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了一种多芯片封装件及其制造方法。该多芯片封装件可以包括封装基底、多个半导体芯片和导电连接构件。半导体芯片可以顺序地堆叠在封装基底上。每个半导体芯片可以包括信号焊盘和测试焊盘。导线可以经由上部的半导体芯片之下的下部的半导体芯片的测试焊盘电连接在半导体芯片中的上部的半导体芯片的信号焊盘与封装基底之间。测试焊盘可以通过切断熔丝转变成哑焊盘。

公开(公告)号：CN102386161A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110265698.6

申请日：2011-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩元吉 ,  河承源 ,  李龙济 ,  朴汉基

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L22/32 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5256 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/06515 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4912 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06596 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了一种多芯片封装件及其制造方法。该多芯片封装件可以包括封装基底、多个半导体芯片和导电连接构件。半导体芯片可以顺序地堆叠在封装基底上。每个半导体芯片可以包括信号焊盘和测试焊盘。导线可以经由上部的半导体芯片之下的下部的半导体芯片的测试焊盘电连接在半导体芯片中的上部的半导体芯片的信号焊盘与封装基底之间。测试焊盘可以通过切断熔丝转变成哑焊盘。