公开(公告)号：CN112768450A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202010636931.6

申请日：2020-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成慧真 ,  朴志孰 ,  崔盛皓

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 提供一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：多个位线结构，在基底上包括沿第一横向方向平行地延伸的位线；以及多个掩埋接触件和多个接合垫。所述多个掩埋接触件在基底上填充所述多个位线结构之间的空间的下部，所述多个接合垫填充所述多个位线结构之间的空间的上部并在所述多个位线结构上延伸。所述多个接合垫具有六边形阵列结构，所述多个接合垫之中的彼此相邻的第一接合垫、第二接合垫和第三接合垫的各自的顶表面的中心点通过不等边三角形连接。

公开(公告)号：CN112530947A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010579908.8

申请日：2020-06-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成慧真 ,  朴志孰 ,  崔盛皓

IPC: H01L27/108

Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，具有存储器单元区、外围区以及在存储器单元区与外围区之间的坝区，存储器单元区根据俯视图具有矩形形状，并且存储器单元区具有限定在其中的多个有源区；多个位线结构，在存储器单元区中在基底上延伸以在第一水平方向上彼此平行，并且均包括位线；多个掩埋接触件，填充基底上的所述多个位线结构之间的空间的下部；多个接合垫，位于所述多个掩埋接触件上；以及坝结构，包括在坝区中的第一坝结构和第二坝结构，并且与所述多个接合垫位于同一水平处。