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公开(公告)号：CN116779017A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310091562.0
申请日：2023-02-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/50
Abstract: 一种半导体器件可以包括：电压产生器，被配置为产生第一双极结型晶体管的第一基极‑发射极电压；以及故障检测器，被配置为通过将第一基极‑发射极电压与上限参考电压和下限参考电压进行比较来产生故障信号。故障检测器可以包括：第二双极结型晶体管；电流源，被配置为产生偏置电流；第一电阻器，耦接在电流源与第二双极结型晶体管的发射极之间以产生上限参考电压；第二电阻器和第三电阻器，被配置为对第二双极结型晶体管的第二基极‑发射极电压进行分压以产生下限参考电压；以及第一比较器和第二比较器，被配置为分别将第一基极‑发射极电压与上限参考电压和下限参考电压进行比较以产生相应的故障信号。
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