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公开(公告)号：CN119855139A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202410600298.3
申请日：2024-05-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00 , H01L23/528
Abstract: 提供了半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：导电线，在第一方向上延伸；第一沟道区和第二沟道区，连接到导电线；接触插塞，在竖直方向上与导电线分开，且第一沟道区和第二沟道区置于接触插塞与导电线之间；背栅电极，在第一沟道区与第二沟道区之间沿着垂直于第一方向的第二方向延伸；以及背栅极介电膜，覆盖背栅电极的表面，其中，背栅极介电膜包括竖直延伸部和水平延伸部，竖直延伸部布置在背栅电极与第一沟道区和第二沟道区中的每个之间以覆盖背栅电极的侧壁，水平延伸部一体地连接到竖直延伸部并在选自面对导电线的第一位置和面对接触插塞的第二位置中的一个位置处覆盖背栅电极。
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