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公开(公告)号：CN1213306C
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN03138453.6
申请日：2003-04-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01R21/00
CPC classification number: G01R21/00 , G01R1/06772
Abstract: 应用电容测量射频信号功率的射频功率传感器包括：最好用半导体形成的基底，如，硅，或电介质材料构成，固定在基底上的固定部件构成用于传输射频信号的信号线及地线，以及跨越信号线连接在地线间的桥体，其中桥体受到外驱动力的作用，外驱动力在桥体与信号线之间感应电容。相应地，通过信号线与桥体之间的电容测量射频信号功率。射频功率传感器促进匹配，减少插入损耗，由于其基于传输线路所具有的特性阻抗，可以在非常宽频带中使用。根据对桥体所进行的设计还可对大功率进行测量。
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公开(公告)号：CN1485873A
公开(公告)日：2004-03-31
申请号：CN03154570.X
申请日：2003-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01H59/00
CPC classification number: H01P1/127 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006
Abstract: 一种微型开关，包括：形成在基底上的电介质层，该电介质层具有移动区；导电层，形成在移动区的预定部分上；电介质薄膜，形成在导电层上；第一和第二电导体，在电介质薄膜的上方的预定距离形成；一个或两个下电极，形成在移动区上；以及一个或两个上电极，在下电极上方的预定距离形成，当在上电极和下电极之间产生静电力时，两个上电极导致导电层和电介质薄膜向上移动，并且使第一和第二电导体电容联接，以便使电流在第一和第二电导体之间流动。这种微型开关的通断率和隔离度高，结构简单，并且可以以非常简单的加工过程制造。
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公开(公告)号：CN1314063C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN03154570.X
申请日：2003-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01H59/00
CPC classification number: H01P1/127 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006
Abstract: 一种微型开关，包括：形成在基底上的电介质层，该电介质层具有移动区；导电层，形成在移动区的预定部分上；电介质薄膜，形成在导电层上；第一和第二电导体，在电介质薄膜的上方的预定距离形成；一个或两个下电极，形成在移动区上；以及一个或两个上电极，在下电极上方的预定距离形成，当在上电极和下电极之间产生静电力时，两个上电极导致导电层和电介质薄膜向上移动，并且使第一和第二电导体电容联接，以便使电流在第一和第二电导体之间流动。这种微型开关的通断率和隔离度高，结构简单，并且可以以非常简单的加工过程制造。
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公开(公告)号：CN1455261A
公开(公告)日：2003-11-12
申请号：CN03138453.6
申请日：2003-04-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01R21/01
CPC classification number: G01R21/00 , G01R1/06772
Abstract: 应用电容测量射频信号功率的射频功率传感器包括：最好用半导体形成的基底，如硅，或电介质材料构成，固定在基底上的固定部件构成用于传输射频信号的信号线及地线，以及跨越信号线连接在地线间的桥体，其中桥体受到外驱动力的作用，外驱动力在桥体与信号线之间感应电容。相应地，通过信号线与桥体之间的电容测量射频信号功率。射频功率传感器促进匹配，减少插入损耗，由于其基于传输线路所具有的特性阻抗，可以在非常宽频带中使用。根据对桥体所进行的设计还可对大功率进行测量。
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