公开(公告)号：CN113204501A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202011264612.3

申请日：2020-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朱炫煜

IPC: G06F12/0811 ,  G06F12/0842 ,  G06F12/0875

Abstract: 公开了一种高速缓存存储设备，包括高速缓存电路和路径预测电路。高速缓存电路生成指示与访问地址相对应的目标数据是否存储在高速缓存行中的高速缓存命中信号，并且在路径预测模式下基于指示候选路径的候选路径信号，主要针对候选路径执行当前高速缓存访问操作。路径预测电路基于在先前的高速缓存访问操作期间提供的高速缓存命中信号，通过累积指示目标数据是否存储在一个路径中的高速缓存命中结果和指示目标数据是否存储在一个候选路径中的路径预测命中结果，存储累积信息。路径预测电路在路径预测模式下基于累积信息，通过确定当前高速缓存访问操作的候选路径，生成候选路径信号。

公开(公告)号：CN117590927A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310902861.8

申请日：2023-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴范圭 ,  朴钟来 ,  朴忠薰 ,  李大荣 ,  李知映 ,  朱炫煜

IPC: G06F1/3296 ,  G06F1/3206

Abstract: 提供了处理器、操作该处理器的方法和电子装置。所述处理器包括：中央处理单元(CPU)，所述CPU被配置为驱动动态电压和频率调节(DVFS)模块；存储器层次结构，所述存储器层次结构被配置为存储用于所述CPU的操作的数据；以及活动监测单元(AMU)，所述AMU被配置为通过监测所述CPU的性能或者监测连接到所述存储器层次结构的系统总线的业务量来生成微架构信息。所述DVFS模块被配置为：使用所述微架构信息来确定在所述存储器层次结构内发生存储器停顿的层，并且响应于所确定的层被访问来提高频率。