-
公开(公告)号：CN117896986A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311209036.6
申请日：2023-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储器件、其制造方法和包括其的电子系统。所述非易失性存储器件包括：基板，其包括第一区域和第二区域；模制结构，其位于基板上，并且包括以阶梯方式交替地堆叠在彼此之上的多个栅电极和多个模制绝缘膜；层间绝缘膜，其覆盖模制结构；沟道结构，其位于第一区域上，并且延伸穿过模制结构并且连接到多个栅电极；以及贯通接触，其位于第二区域上并且延伸穿过层间绝缘膜，其中，贯通接触包括位于第一沟槽中的第一部分和位于第二沟槽中的第二部分，第一部分包括：衬垫膜，其沿着第一沟槽的侧壁和底表面；以及填充膜，其位于衬垫膜上，其中填充膜是多晶粒导电材料，并且第二部分是单晶粒导电材料。
Search Results
1
records
(took 0.015 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
