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公开(公告)号:CN105047216A
公开(公告)日:2015-11-11
申请号:CN201510179610.7
申请日:2015-04-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B33/14
CPC classification number: G06F3/0653 , G06F3/0616 , G06F3/0634 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F3/0688 , G06F11/3058
Abstract: 一种操作存储系统的方法,存储系统包括存储器控制器和至少一个非易失性存储器,所述方法包括:在存储系统中存储从布置在存储系统外部的主机接收到的温度相关的性能水平信息;将存储系统的操作性能水平设置为第一性能水平;根据第一性能水平操作存储器控制器和所述至少一个非易失性存储器;检测存储系统的内部温度;和将所述存储系统的操作性能水平改变为不同于第一性能水平的第二性能水平。由所述存储系统的存储器控制器改变操作性能水平,并且所述改变操作性能水平是基于温度相关的性能水平信息和检测到的内部温度的。
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公开(公告)号:CN116266151A
公开(公告)日:2023-06-20
申请号:CN202211440989.9
申请日:2022-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储装置及其操作方法。提供的是一种存储装置。所述存储装置包括:存储单元;以及存储装置控制器,所述存储装置控制器包括闪存控制器和处理器,所述闪存控制器对所述存储单元执行数据操作,所述处理器运行RTOS(实时操作系统)以便控制所述闪存控制器,其中所述RTOS与所述存储装置控制器通信并以正常操作模式操作,当缺陷发生时,所述RTOS在调试模式下生成快照数据,所述RTOS在所述正常操作模式下通过上下文切换来切换到所述调试模式,并且当在执行在所述调试模式下生成所述快照数据的操作时紧急工作出现时,所述RTOS以所述正常操作模式操作。
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公开(公告)号:CN105047216B
公开(公告)日:2019-03-08
申请号:CN201510179610.7
申请日:2015-04-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B33/14
Abstract: 一种操作存储系统的方法,存储系统包括存储器控制器和至少一个非易失性存储器,所述方法包括:在存储系统中存储从布置在存储系统外部的主机接收到的温度相关的性能水平信息;将存储系统的操作性能水平设置为第一性能水平;根据第一性能水平操作存储器控制器和所述至少一个非易失性存储器;检测存储系统的内部温度;和将所述存储系统的操作性能水平改变为不同于第一性能水平的第二性能水平。由所述存储系统的存储器控制器改变操作性能水平,并且所述改变操作性能水平是基于温度相关的性能水平信息和检测到的内部温度的。
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