公开(公告)号：CN119248175A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202410329525.3

申请日：2024-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金有焕 ,  李庚德 ,  张洙溶 ,  高汉奎 ,  安浩圣

IPC: G06F3/06

Abstract: 本公开涉及存储设备。示例存储设备包括：非易失性存储器设备和存储器控制器，该非易失性存储器设备包括多个存储器块，该存储器控制器控制该非易失性存储器设备。存储器控制器对多个存储器块当中的第一存储器块执行软擦除操作，在执行软擦除操作之后，通过将第一参考电压施加到从第一存储器块的多个存储器单元中预先选择的多个第一存储器单元来测量第一单元计数，基于第一单元计数生成与第一存储器块的保留特性相关联的第一健康指数，并且基于第一健康指数对第一存储器块执行可靠性管理操作。

公开(公告)号：CN112988614A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202011400563.1

申请日：2020-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车相守 ,  张洙溶

IPC: G06F12/02 ,  G06F12/1009

Abstract: 一种操作包括非易失性存储器的存储设备的方法，包括：以超级块为单位将非易失性存储器的编程和擦除计数存储为元数据，其中，超级块中的每个包括预定义数量的非易失性存储器的块；基于第一读取电平，对在第一超级块中包括的第一块执行读取操作；当对第一块的读取操作成功时，将第一读取电平作为第一超级块的历史读取电平存储在历史缓冲器中；从主机接收针对第一超级块的第二块的读取请求和第二块的地址；以及基于在历史缓冲器中存储的历史读取电平来对第二块执行读取操作。预定义数量至少为2。