公开(公告)号：CN109521948B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN201810840685.9

申请日：2018-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李涌华 ,  朴永昊 ,  李昞奇 ,  张亨哲 ,  全济谦 ,  赵成国

IPC: G06F3/06 ,  G06F11/14

Abstract: 一种操作键值存储设备的方法，包括：键值存储设备从主机接收包括第一键、第一值和第一快照标识(ID)的第一命令；响应于接收到的第一命令，所述键值存储设备生成包括第一快照ID、第一键和在非易失性存储器中写入所述第一值的第一物理地址的第一快照条目；从主机接收包括第一键、第二值和第二快照ID的第二命令；并且响应于接收到的第二命令，键值存储设备生成包括第二快照ID、第一键和在非易失性存储器中写入所述第二值的第二物理地址的第二快照条目。

公开(公告)号：CN112948280B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202011178478.5

申请日：2020-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在燽 ,  朴永昊 ,  吴相允 ,  张亨哲 ,  全济谦

IPC: G06F12/02 ,  G06F12/0802 ,  G06F12/0882 ,  G06F12/1009

Abstract: 提供了一种存储装置及操作其的方法和管理存储装置中的数据的方法。所述存储装置包括多个非易失性存储器芯片，每个非易失性存储器芯片包括多个页。从外部主机装置接收第一数据对象。第一数据对象具有不固定的大小，并且对应于作为单个地址的第一逻辑地址。基于确定不可将第一数据存储在所述多个页中的单个页中，基于至少一个选择参数来设置用于第一数据对象的缓冲策略。在对第一数据对象的第一逻辑地址和存储有第一数据对象的页的第一物理地址进行映射的同时，存储第一缓冲方向与映射结果，第一缓冲方向表示用于第一数据对象的缓冲策略。

公开(公告)号：CN109521948A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201810840685.9

申请日：2018-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李涌华 ,  朴永昊 ,  李昞奇 ,  张亨哲 ,  全济谦 ,  赵成国

IPC: G06F3/06 ,  G06F11/14

Abstract: 一种操作键值存储设备的方法，包括：键值存储设备从主机接收包括第一键、第一值和第一快照标识(ID)的第一命令；响应于接收到的第一命令，所述键值存储设备生成包括第一快照ID、第一键和在非易失性存储器中写入所述第一值的第一物理地址的第一快照条目；从主机接收包括第一键、第二值和第二快照ID的第二命令；并且响应于接收到的第二命令，键值存储设备生成包括第二快照ID、第一键和在非易失性存储器中写入所述第二值的第二物理地址的第二快照条目。

公开(公告)号：CN110413221A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910307898.X

申请日：2019-04-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张亨哲 ,  金在燽 ,  朴永昊 ,  金灿洙 ,  李柱坪

IPC: G06F3/06

Abstract: 一种数据存储设备，包括：非易失性存储器，包括第一区域和与第一区域不同的第二区域；以及将第一数据和第二数据存储在非易失性存储器的第一区域中的控制器。非易失性存储器的第一区域包括第一存储区域和第二存储区域。第一数据的一部分存储在第一存储区域中，并且第一数据的另一部分存储在第二存储区域中。第二数据存储在第二存储区域中，并且第二数据开始的第二存储区域的偏移值存储在非易失性存储器的第二区域中。

公开(公告)号：CN110413221B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN201910307898.X

申请日：2019-04-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张亨哲 ,  金在燽 ,  朴永昊 ,  金灿洙 ,  李柱坪

IPC: G06F3/06

Abstract: 一种数据存储设备，包括：非易失性存储器，包括第一区域和与第一区域不同的第二区域；以及将第一数据和第二数据存储在非易失性存储器的第一区域中的控制器。非易失性存储器的第一区域包括第一存储区域和第二存储区域。第一数据的一部分存储在第一存储区域中，并且第一数据的另一部分存储在第二存储区域中。第二数据存储在第二存储区域中，并且第二数据开始的第二存储区域的偏移值存储在非易失性存储器的第二区域中。

公开(公告)号：CN112948280A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202011178478.5

申请日：2020-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在燽 ,  朴永昊 ,  吴相允 ,  张亨哲 ,  全济谦

IPC: G06F12/02 ,  G06F12/0802 ,  G06F12/0882 ,  G06F12/1009

Abstract: 提供了一种存储装置及操作其的方法和管理存储装置中的数据的方法。所述存储装置包括多个非易失性存储器芯片，每个非易失性存储器芯片包括多个页。从外部主机装置接收第一数据对象。第一数据对象具有不固定的大小，并且对应于作为单个地址的第一逻辑地址。基于确定不可将第一数据存储在所述多个页中的单个页中，基于至少一个选择参数来设置用于第一数据对象的缓冲策略。在对第一数据对象的第一逻辑地址和存储有第一数据对象的页的第一物理地址进行映射的同时，存储第一缓冲方向与映射结果，第一缓冲方向表示用于第一数据对象的缓冲策略。