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公开(公告)号：CN1360376A
公开(公告)日：2002-07-24
申请号：CN01137895.6
申请日：2001-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 张东勋
CPC classification number: H01S5/18311 , H01S5/0425 , H01S5/18394 , H01S5/2081 , H01S2301/176
Abstract: 提供了一种具有垂直于作用区平面发光的谐振腔结构的半导体发光器件及其制作方法。主体具有上部电极窗和氧化层电流孔。谐振光通过窗口和电流孔发射。为了自对准,利用上部电极通过蚀刻形成柱体,从而窗口的中轴和电流孔的中轴可以自动对准。在蚀刻过程中,柱体中包括的预氧化层侧壁暴露,且通过氧化过程使预氧化层水平氧化到距其侧壁特定距离处。通过氧化过程氧化的预氧化层成为高电阻部分,而在氧化过程中未氧化的预氧化层成为电流和光通过的电流孔。如上所述,由于为了自对准利用电极形成柱体,并且通过氧化暴露的柱体侧壁形成电流孔,则电极窗中轴和电流孔中轴自动对准。由于窗口和电流孔精确对准,垂直腔表面发射激光器的电光特性得以提高。
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公开(公告)号：CN1173442C
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN01137895.6
申请日：2001-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 张东勋
CPC classification number: H01S5/18311 , H01S5/0425 , H01S5/18394 , H01S5/2081 , H01S2301/176
Abstract: 提供了一种具有垂直于作用区平面发光的谐振腔结构的半导体发光器件及其制作方法。主体具有上部电极窗和氧化层电流孔。谐振光通过窗口和电流孔发射。为了自对准，利用上部电极通过蚀刻形成柱体，从而窗口的中轴和电流孔的中轴可以自动对准。在蚀刻过程中，柱体中包括的预氧化层侧壁暴露，且通过氧化过程使预氧化层水平氧化到距其侧壁特定距离处。通过氧化过程氧化的预氧化层成为高电阻部分，而在氧化过程中未氧化的预氧化层成为电流和光通过的电流孔。如上所述，由于为了自对准利用电极形成柱体，并且通过氧化暴露的柱体侧壁形成电流孔，则电极窗中轴和电流孔中轴自动对准。由于窗口和电流孔精确对准，垂直腔表面发射激光器的电光特性得以提高。
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公开(公告)号：CN1246717C
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200310124354.9
申请日：2003-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B6/4206
Abstract: 本发明公开了一种用于将光耦合到光波导器件的芯中的光耦合器件。该光耦合器件在第一端与光波导器件的芯相连，与第一端相反的第二端为凸面。光耦合器件包括连接光耦合器件第一端与第二端、用于传输光的波导，以及围绕该波导的包层。
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公开(公告)号：CN1514265A
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN200310124354.9
申请日：2003-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B6/4206
Abstract: 本发明公开了一种用于将光耦合到光波导器件的芯中的光耦合器件。该光耦合器件在第一端与光波导器件的芯相连，与第一端相反的第二端为凸面。光耦合器件包括连接光耦合器件第一端与第二端、用于传输光的波导，以及围绕该波导的包层。
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