公开(公告)号：CN1694777A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN03824768.2

申请日：2003-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具滋南 ,  希尔盖·波蒂波夫

IPC: B23K20/00

CPC classification number: B23K20/023

Abstract: 一种压缩键合方法包括：以预定的形状在衬底上图案化形成金属键合膜；和将键合元件置于金属键合膜上并且将热施加于衬底和将压力施加于键合元件，从而将键合元件键合到具有金属键合膜的衬底上。因为该压缩键合方法允许具有各种形状和尺寸的键合元件在低温低压下被键合到衬底上，所以简化了制造。并且该压缩键合方法能够被应用于各种密封和封装工艺中。

公开(公告)号：CN100404187C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN03824768.2

申请日：2003-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具滋南 ,  希尔盖·波蒂波夫

IPC: B23K20/00

CPC classification number: B23K20/023

Abstract: 一种压缩键合方法包括：以预定的形状在衬底上图案化形成金属键合膜；和将键合元件置于金属键合膜上并且将热施加于衬底和将压力施加于键合元件，从而将键合元件键合到具有金属键合膜的衬底上。因为该压缩键合方法允许具有各种形状和尺寸的键合元件在低温低压下被键合到衬底上，所以简化了制造。并且该压缩键合方法能够被应用于各种密封和封装工艺中。