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公开(公告)号：CN1652248B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200410047184.3
申请日：2004-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F12/00 , G06F12/02 , G06F13/00 , G11C7/00 , G11C7/22 , G11C8/00 , G11C11/401 , G11C11/407
Abstract: 一种用于设置存储装置的运行模式的存储系统、存储装置和方法，包括：存储单元阵列；行解码器和列解码器，根据多比特位地址信号分别选择存储单元阵列的行和列；以及模式控制电路，接收来自用于选择行或列的多比特位地址信号中的至少一个比特位，并根据该至少一个比特位来设置存储装置的运行模式，其中运行模式是突发长度模式，DLL复位模式，测试模式，CAS执行时间模式以及突发类型模式中的一种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1822212B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200610006091.5
申请日：2006-01-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/04 , G11C11/401
CPC classification number: G11C11/406 , G11C11/40615 , G11C2211/4067
Abstract: 公开了一种支持自更新操作的半导体存储装置，并且该存储装置包括：地址缓冲器单元，其可控制以在自更新操作期间被使能，并且其适配为响应第一外部控制信号和外部地址信号而产生内部地址信号以在自更新操作期间控制微调操作；以及操作控制单元，其适配为通过使用微调地址信号执行微调操作，该微调地址信号在自更新操作期间响应内部地址信号而产生，其中操作控制单元包括：微调地址信号发生器，其适配为响应内部地址信号而生成微调地址信号；以及温度感测电路，其适配为响应微调地址信号来执行微调操作，并且响应由精确的断路点定义的存储装置的温度变化而生成温度信号。
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公开(公告)号：CN1956096A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610149201.3
申请日：2006-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
CPC classification number: G11C8/06 , G11C7/1078 , G11C7/1084 , G11C7/1087 , G11C7/109 , G11C7/225
Abstract: 提供一种存储器装置的输入缓冲器、存储器控制器、以及利用其的存储器系统。响应于表示芯片选择信息的第一信号和表示功率降低信息的第二信号来启动或禁止存储器装置的输入缓冲器，并且只有当第二信号表示非功率降低模式并且第一信号表示芯片选择状态时，才启动输入缓冲器。输入缓冲器至少从由行地址选通脉冲输入缓冲器、列地址选通脉冲输入缓冲器、和地址输入缓冲器组成的组群中选择一个。
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公开(公告)号：CN1652248A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200410047184.3
申请日：2004-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F12/00 , G06F12/02 , G06F13/00 , G11C7/00 , G11C7/22 , G11C8/00 , G11C11/401 , G11C11/407
Abstract: 一种用于设置存储装置的运行模式的存储系统、存储装置和方法，包括：存储单元阵列；行解码器和列解码器，根据多比特位地址信号分别选择存储单元阵列的行和列；以及模式控制电路，接收来自用于选择行或列的多比特位地址信号中的至少一个比特位，并根据该至少一个比特位来设置存储装置的运行模式，其中运行模式是脉冲长度模式，DLL复位模式，测试模式，CAS执行时间模式以及脉冲类型模式中的一种。
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公开(公告)号：CN1956096B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200610149201.3
申请日：2006-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
CPC classification number: G11C8/06 , G11C7/1078 , G11C7/1084 , G11C7/1087 , G11C7/109 , G11C7/225
Abstract: 提供一种存储器装置的输入缓冲器、存储器控制器、以及利用其的存储器系统。响应于表示芯片选择信息的第一信号和表示功率降低信息的第二信号来启动或禁止存储器装置的输入缓冲器，并且只有当第二信号表示非功率降低模式并且第一信号表示芯片选择状态时，才启动输入缓冲器。输入缓冲器至少从由行地址选通脉冲输入缓冲器、列地址选通脉冲输入缓冲器、和地址输入缓冲器组成的组群中选择一个。
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公开(公告)号：CN1822212A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610006091.5
申请日：2006-01-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/04 , G11C11/401
CPC classification number: G11C11/406 , G11C11/40615 , G11C2211/4067
Abstract: 公开了一种支持自更新操作的半导体存储装置，并且该存储装置包括地址缓冲器单元和操作控制单元。在自更新操作期间通过第一外部控制信号来使能地址缓冲器单元，以产生内部地址信号。操作控制单元响应内部地址信号来控制自更新操作的开始。
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