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公开(公告)号:CN101256525B
公开(公告)日:2013-03-06
申请号:CN200710303569.5
申请日:2007-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/102 , G11C8/06 , G11C16/105
Abstract: 一种操作非易失性存储器的方法,能够包括:将被成功地编程到非易失性存储器的第一目标页面的第一数据备份,以提供本地备份数据。能够确定第二数据到所述第一目标页面的编程失败,并且所述本地备份数据能够被编程到所述非易失性存储器的第二块中的第二目标页面中。
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公开(公告)号:CN101266829B
公开(公告)日:2014-06-18
申请号:CN200810092090.6
申请日:2008-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C7/1045 , G06F9/4401 , G06F12/06 , G06F2212/2022
Abstract: 提供了一种存储卡设备。存储卡设备包括闪存和控制器。闪存包括存储引导数据的引导区和存储用户数据的用户区。根据外部命令,控制器访问引导区或用户区。引导数据可以存放在集成于电子设备的存储卡中。而且,当主机请求对存储在存储卡中的引导数据/用户数据进行访问时,可在控制器控制下访问引导数据/用户数据。
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公开(公告)号:CN101149686B
公开(公告)日:2012-06-13
申请号:CN200710154779.2
申请日:2007-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 崔成业
IPC: G06F9/445
CPC classification number: G06F9/4401
Abstract: 嵌入式存储卡系统包括CPU、存储引导码和数据的非易失性存储器、控制非易失性存储器的从卡控制器、与从卡控制器通信的主卡控制器、以及控制易失性存储器的存储控制器。当从非易失性存储器中读取引导码时,CPU控制存储控制器来直接从引导码引导系统。
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公开(公告)号:CN101339526A
公开(公告)日:2009-01-07
申请号:CN200810210335.0
申请日:2008-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/10
CPC classification number: G11C16/26 , G06F11/1068 , G11C16/0483 , G11C29/76
Abstract: 本发明提供了能够检测由于读干扰而造成的位错误的方法和存储系统。读取存储系统中闪存的主页面;检测并更正从所述主页面读取的数据中的位错误;与读取所述主页面并行地,检测从所述闪存的虚拟页面中读取的数据中的位错误。
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公开(公告)号:CN101256525A
公开(公告)日:2008-09-03
申请号:CN200710303569.5
申请日:2007-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/102 , G11C8/06 , G11C16/105
Abstract: 一种操作非易失性存储器的方法,能够包括:将被成功地编程到非易失性存储器的第一目标页面的第一数据备份,以提供本地备份数据。能够确定第二数据到所述第一目标页面的编程失败,并且所述本地备份数据能够被编程到所述非易失性存储器的第二块中的第二目标页面中。
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公开(公告)号:CN101149686A
公开(公告)日:2008-03-26
申请号:CN200710154779.2
申请日:2007-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 崔成业
IPC: G06F9/445
CPC classification number: G06F9/4401
Abstract: 嵌入式存储卡系统包括CPU、存储引导码和数据的非易失性存储器、控制非易失性存储器的从卡控制器、与从卡控制器通信的主卡控制器、以及控制易失性存储器的存储控制器。当从非易失性存储器中读取引导码时,CPU控制存储控制器来直接从引导码引导系统。
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公开(公告)号:CN101246429B
公开(公告)日:2013-02-13
申请号:CN200810009902.6
申请日:2008-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 崔成业
IPC: G06F9/445
CPC classification number: G06F9/445
Abstract: 提供将闪存模块用作主存储器的电子系统及其引导方法。引导方法可包括:当检测到耦合到电子系统的闪存模块的数量改变时,读取耦合到电子系统的闪存模块的每一个的FAT(文件分配表)信息;产生包括闪存模块的每一个的FAT信息的SFAT(超FAT)信息;将SFAT信息写入引导闪存模块。因此,当插入或移除使用的闪存模块时,可自动改变电子系统中的装置信息。
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公开(公告)号:CN101339526B
公开(公告)日:2012-11-28
申请号:CN200810210335.0
申请日:2008-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/10
CPC classification number: G11C16/26 , G06F11/1068 , G11C16/0483 , G11C29/76
Abstract: 本发明提供了能够检测由于读干扰而造成的位错误的方法和存储系统。读取存储系统中闪存的主页面;检测并更正从所述主页面读取的数据中的位错误;与读取所述主页面并行地,检测从所述闪存的虚拟页面中读取的数据中的位错误。
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公开(公告)号:CN101266829A
公开(公告)日:2008-09-17
申请号:CN200810092090.6
申请日:2008-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C7/1045 , G06F9/4401 , G06F12/06 , G06F2212/2022
Abstract: 提供了一种存储卡设备。存储卡设备包括闪存和控制器。闪存包括存储引导数据的引导区和存储用户数据的用户区。根据外部命令,控制器访问引导区或用户区。引导数据可以存放在集成于电子设备的存储卡中。而且,当主机请求对存储在存储卡中的引导数据/用户数据进行访问时,可在控制器控制下访问引导数据/用户数据。
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公开(公告)号:CN101246429A
公开(公告)日:2008-08-20
申请号:CN200810009902.6
申请日:2008-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 崔成业
IPC: G06F9/445
CPC classification number: G06F9/445
Abstract: 提供将闪存模块用作主存储器的电子系统及其引导方法。引导方法可包括:当检测到耦合到电子系统的闪存模块的数量改变时,读取耦合到电子系统的闪存模块的每一个的FAT(文件分配表)信息;产生包括闪存模块的每一个的FAT信息的SFAT(超FAT)信息;将SFAT信息写入引导闪存模块。因此,当插入或移除使用的闪存模块时,可自动改变电子系统中的装置信息。
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