公开(公告)号：CN105590924A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510750308.2

申请日：2015-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全炫锡 ,  朴钟宇 ,  朴哲镛 ,  尹贞元

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/522

Abstract: 本公开提供了半导体器件。半导体器件包括：在基板上的层间绝缘层；第一电容器结构，在层间绝缘层中；以及导电层，包括在层间绝缘层上的端子焊盘。第一电容器结构包括至少一个第一叠层，该至少一个第一叠层包括顺序地在基板上的第一下电极、第一电容器绝缘层和第一上电极。端子焊盘不与第一电容器结构交叠。

公开(公告)号：CN105590924B

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201510750308.2

申请日：2015-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全炫锡 ,  朴钟宇 ,  朴哲镛 ,  尹贞元

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/522

Abstract: 本公开提供了半导体器件。半导体器件包括：在基板上的层间绝缘层；第一电容器结构，在层间绝缘层中；以及导电层，包括在层间绝缘层上的端子焊盘。第一电容器结构包括至少一个第一叠层，该至少一个第一叠层包括顺序地在基板上的第一下电极、第一电容器绝缘层和第一上电极。端子焊盘不与第一电容器结构交叠。