公开(公告)号：CN100336165C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN03139091.9

申请日：2003-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰完 ,  尤里·N·托尔马切夫 ,  马东俊 ,  瑟吉·Y·纳瓦拉

IPC: H01L21/00

CPC classification number: C23C16/4558

Abstract: 一种注气装置，用于将反应气体注入半导体处理系统中的反应腔室内。该注气装置包括：注入件，该注入件被设置成与反应腔室的腔壁内表面发生接触，并且具有多个穿过其的喷嘴，通过这些喷嘴，反应气体被注入反应腔室内；进气口，该进气口贯穿反应腔室的腔壁；以及歧管，该歧管被设置在反应腔室的腔壁与注入件之间，用于将通过进气口流入的反应气体供送至各个喷嘴。所述歧管被构造成具有设置在多个级别上的气体通道，这些气体通道用于使得连接进气口和各个喷嘴的气体通路的长度相等，由此使得通过各个喷嘴供入反应腔室的气体流量均匀。这种构造使得通过各个喷嘴供送至反应腔室的反应气体的流量均匀。

公开(公告)号：CN1652661A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200410078689.6

申请日：2004-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尤里·N·托尔马切夫 ,  马东俊 ,  金大一 ,  瑟吉·Y·纳瓦拉

IPC: H05H1/46 ,  H05H1/30

CPC classification number: H01J37/32247 ,  H01J37/32192

Abstract: 提供了一种使用多路端部开口的空腔谐振器的微波等离子体产生设备，以及包括该微波等离子体产生设备的等离子体处理设备。该等离子处理设备包括：用于形成处理室的容器，用于支撑材料使其在处理室中被处理的支撑部件，在处理室的上部形成的介电窗，将处理气体注入处理室的气体供应部件，以及通过介电窗供应微波的包含多个谐振器的微波供应部件。

公开(公告)号：CN1248289C

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN02127324.3

申请日：2002-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尤里·N·托尔马切夫 ,  马东俊 ,  文昌郁 ,  尹惠荣

IPC: H01L21/205 ,  H01J37/00 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/32357

Abstract: 提供一种感应耦合式等离子体装置，此感应耦合式等离子体装置包括一处理腔室、一顶部等离子体源腔室、一反应器、一感应器、一开孔和一挡板。处理腔室具有一晶片基座，上面装设一基底。顶部等离子体源腔室装设在处理腔室。反应器装设在顶部等离子体源腔室之中；具有一通道，一种气体流经此通道；以及把等离子体各反应产物供给处理腔室。感应器装设在顶部等离子体源腔室与反应器之间并缠绕反应器。开孔设置在其中装设感应器的、反应器周边空间与处理腔室之间。挡板可开启和关闭开孔。因而，可以改进发自一等离子体源的各种自由基的均匀径向分布。

公开(公告)号：CN1619011A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410068244.X

申请日：2004-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尤里·N·托尔马切夫 ,  马东俊 ,  瑟格里·Y·纳瓦拉 ,  金大一

IPC: C23C14/35 ,  H01J37/32 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C14/358 ,  H01J37/3408

Abstract: 本发明提供一个有螺旋自谐振线圈的电离物理汽相沉积(IPVD)装置。IPVD装置包括一个处理腔，内有基体保持器支撑处理的基体；一个沉积材料源，面朝基体保持器，向处理腔内提供沉积在基体上的材料；一个气体喷射单元，朝处理腔内喷射处理气体；一个偏压电源，向基体保持器施加偏置电压；一个螺旋自谐振线圈，在处理腔内产生电离沉积材料的等离子体，其一端是接地的，另一端电开放；和一个射频发生器，提供射频电力给螺旋自谐振线圈。使用螺旋自谐振线圈使得IPVD装置能够在非常低的真空室压力——如接近0.1mTorr下激发和操作，并更有效的产生比常规IPVD装置更高浓度的等离子体。相应的，可以获得很高的沉积材料电离效率。

公开(公告)号：CN100394535C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200410042163.2

申请日：2004-05-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尤里·N·托尔马切夫 ,  瑟吉·Y·纳瓦拉 ,  马东俊 ,  金大一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/321

Abstract: 本发明提供高密度等离子体加工设备，包括加工室、反应气体注入装置、感应耦合等离子体触角、波导和环形发送管。用于支撑所需加工的物体的衬托器安装在加工室内。介电窗安装在加工室上。反应气体注入装置将反应气体注入加工室内。感应耦合等离子体(ICP)触角安装在介电窗上以便定位在介电窗的中心上，并且将来自射频电源的射频功率传输到加工室内部。波导导引微波发生器产生的微波。环形发送管安装在介电窗上以便包围感应耦合等离子体触角，并连接到波导，且通过形成在环形发送管底板中的多个切口向加工室内部辐射微波。

公开(公告)号：CN1498057A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN200310101227.7

申请日：2003-10-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李永东 ,  尤里·N·托尔马切夫 ,  金圣九 ,  申在光

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/321

Abstract: 一种感应耦合等离子体(ICP)发生设备，包括：抽真空的反应室；天线，该天线安装在反应室的上部，以感应用于离子化供给到反应室内的反应气体并产生等离子体的电场；以及射频(RF)电源，其连接到天线上以便将射频功率施加到天线上；其中，天线包括多个具有不同半径的线圈，至少一个线圈为弯曲成锯齿形图案的曲折线圈。电容器连接在RF电源和匹配网络之间、以及匹配网络和天线之间、与天线并联、以便诱发LC谐振现象。利用具有上述结构的ICP发生设备，可以减小天线电感、抑制电容耦合、并改善等离子体均匀性。也可以利用LC谐振现象有效地放电并维持等离子体。

公开(公告)号：CN1248549C

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN200310101227.7

申请日：2003-10-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李永东 ,  尤里·N·托尔马切夫 ,  金圣九 ,  申在光

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/321

Abstract: 一种感应耦合等离子体(ICP)发生设备，包括：抽真空的反应室；天线，该天线安装在反应室的上部，以感应用于离子化供给到反应室内的反应气体并产生等离子体的电场；以及射频(RF)电源，其连接到天线上以便将射频功率施加到天线上；其中，天线包括多个具有不同半径的线圈，至少一个线圈为弯曲成锯齿形图案的曲折线圈。电容器连接在RF电源和匹配网络之间、以及匹配网络和天线之间、与天线并联、以便诱发LC谐振现象。利用具有上述结构的ICP发生设备，可以减小天线电感、抑制电容耦合、并改善等离子体均匀性。也可以利用LC谐振现象有效地放电并维持等离子体。

公开(公告)号：CN1574199A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410042163.2

申请日：2004-05-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尤里·N·托尔马切夫 ,  瑟吉·Y·纳瓦拉 ,  马东俊 ,  金大一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/321

Abstract: 本发明提供高密度等离子体加工设备，包括加工室、反应气体注入装置、感应耦合等离子体触角、波导和环形发送管。用于支撑所需加工的物体的衬托器安装在加工室内。介电窗安装在加工室上。反应气体注入装置将反应气体注入加工室内。感应耦合等离子体(ICP)触角安装在介电窗上以便定位在介电窗的中心上，并且将来自射频电源的射频功率传输到加工室内部。波导导引微波发生器产生的微波。环形发送管安装在介电窗上以便包围感应耦合等离子体触角，并连接到波导，且通过形成在环形发送管底板中的多个切口向加工室内部辐射微波。

公开(公告)号：CN1501435A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN03139091.9

申请日：2003-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰完 ,  尤里·N·托尔马切夫 ,  马东俊 ,  瑟吉·Y·纳瓦拉

IPC: H01L21/00

CPC classification number: C23C16/4558

Abstract: 一种注气装置，用于将反应气体注入半导体处理系统中的反应腔室内。该注气装置包括：注入件，该注入件被设置成与反应腔室的腔壁内表面发生接触，并且具有多个穿过其的喷嘴，通过这些喷嘴，反应气体被注入反应腔室内；进气口，该进气口贯穿反应腔室的腔壁；以及歧管，该歧管被设置在反应腔室的腔壁与注入件之间，用于将通过进气口流入的反应气体供送至各个喷嘴。所述歧管被构造成具有设置在多个级别上的气体通道，这些气体通道用于使得连接进气口和各个喷嘴的气体通路的长度相等，由此使得通过各个喷嘴供入反应腔室的气体流量均匀。这种构造使得通过各个喷嘴供送至反应腔室的反应气体的流量均匀。