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公开(公告)号：CN116528588A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310031721.8
申请日：2023-01-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种三维半导体存储器装置、包括其的电子系统及其制造方法。半导体存储器装置可包括：堆叠结构，其包括交替地堆叠在衬底上的电极层和电极层间绝缘层；竖直半导体图案，其穿过堆叠结构，并且布置为邻近于衬底；以及栅极绝缘层，其在竖直半导体图案与堆叠结构之间。栅极绝缘层可包括邻近于堆叠结构的阻挡绝缘层和电荷存储图案，电荷存储图案与堆叠结构间隔开同时阻挡绝缘层介于它们之间，并且沿着阻挡绝缘层的表面布置。随着与阻挡绝缘层相距的距离减小，电荷存储图案的宽度可增大。
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