半导体器件及其制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112768451A

    公开(公告)日:2021-05-07

    申请号:CN202011005023.3

    申请日:2020-09-22

    Abstract: 一种半导体器件,包括:衬底,沿第一方向顺序布置的单元区域、边界区域、外围区域;有源图案,在单元区域中沿第二方向延伸,第二方向相对于第一方向形成第一锐角;以及边界图案,在单元区域中且与边界区域直接相邻。边界图案包括沿第二方向延伸的第一侧表面和从第一侧表面沿第三方向延伸的第一边界表面,第三方向与第一方向垂直,且第一边界表面限定单元区域和边界区域之间的边界。

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