公开(公告)号：CN100380631C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200510067049.X

申请日：2005-04-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安永峻 ,  朴东健 ,  李忠浩 ,  姜熙秀

IPC: H01L21/8232 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823412 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/1052 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 一种形成集成电路器件的方法包括，在半导体衬底的单元阵列部分中形成非平坦的场效应晶体管以及在半导体衬底的外围电路部分中形成平坦的场效应晶体管。非平坦的场效应晶体管可以选自FinFET和凹陷的栅极FET的组。掺杂剂可以被注入非平坦的场效应晶体管的沟道区，然后可以在非平坦的场效应晶体管上形成单元保护层。然后，可以使用单元保护层作为掩模，将掺杂剂有选择地注入平坦的场效应晶体管的沟道区，以阻挡掺杂剂注入到非平坦的场效应晶体管的沟道区中。

公开(公告)号：CN1700446A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510067049.X

申请日：2005-04-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安永峻 ,  朴东健 ,  李忠浩 ,  姜熙秀

IPC: H01L21/8232 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823412 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/1052 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 一种形成集成电路器件的方法包括，在半导体衬底的单元阵列部分中形成非平坦的场效应晶体管以及在半导体衬底的外围电路部分中形成平坦的场效应晶体管。非平坦的场效应晶体管可以选自FinFET和凹陷的栅极FET的组。掺杂剂可以被注入非平坦的场效应晶体管的沟道区，然后可以在非平坦的场效应晶体管上形成单元保护层。然后，可以使用单元保护层作为掩模，将掺杂剂有选择地注入平坦的场效应晶体管的沟道区，以阻挡掺杂剂注入到非平坦的场效应晶体管的沟道区中。