公开(公告)号：CN1941856B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200610136395.3

申请日：2006-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安正*

IPC: H04N5/361

CPC classification number: H04N5/361 ,  H04N5/374

Abstract: CMOS图像传感器包括多个有源像素行和一光学黑像素行。该光学黑像素行根据至少两个有源像素行每一个的激活而激发产生各自的光学黑信号。这样共用光学黑像素行减小了CMOS图像传感器的光学黑区。

公开(公告)号：CN102194838B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201110027994.2

申请日：2011-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安正* ,  李景镐

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明公开一种具有凸起的光接收面的背侧照明CMOS图像传感器及其制造方法。背侧照明CMOS图像传感器包括金属层、绝缘层和光电二极管。绝缘层在金属层上。光电二极管在绝缘层上，光电二极管的接收光的顶面是弯曲的。制造具有带凸起表面的光电二极管的背侧照明CMOS图像传感器的方法包括：在光电二极管的光接收面的一部分上形成小于光电二极管的岛；以及退火所述岛以形成具有凸起的光接收面的光电二极管。

公开(公告)号：CN102194838A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110027994.2

申请日：2011-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安正* ,  李景镐

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明公开一种具有凸起的光接收面的背侧照明CMOS图像传感器及其制造方法。背侧照明CMOS图像传感器包括金属层、绝缘层和光电二极管。绝缘层在金属层上。光电二极管在绝缘层上，光电二极管的接收光的顶面是弯曲的。制造具有带凸起表面的光电二极管的背侧照明CMOS图像传感器的方法包括：在光电二极管的光接收面的一部分上形成小于光电二极管的岛；以及退火所述岛以形成具有凸起的光接收面的光电二极管。