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公开(公告)号：CN118742035A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410355817.4
申请日：2024-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储器件和制造其的方法。示例存储器件包括多个存储块，每个存储块包括单元区和单元布线区。至少一个存储块包括字线图案部分和沟道结构。字线图案部分提供在单元区和单元布线区中，并包括沿第一方向堆叠且彼此间隔开的字线。沟道结构提供在单元区中以在第一方向上延伸。当从上方观看时，字线图案部分在垂直于第一方向的第二方向上延伸，并且字线图案部分具有至少一个阶梯部分，所述至少一个阶梯部分包括具有依次下降的阶梯的第一阶梯图案和具有依次上升的阶梯的第二阶梯图案。在所述至少一个存储块中，第一阶梯图案和第二阶梯图案被提供为不同的数量。
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