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公开(公告)号：CN107402889B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN201710358270.3
申请日：2017-05-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02 , G06F12/0866
Abstract: 提供一种检索数据方法、存储数据方法和重复数据删除模块。所述方法包括：识别数据的逻辑地址；根据逻辑地址，通过查找转换表中的逻辑地址的至少一部分，识别数据的物理行ID；对各个物理行进行定位，所述各个物理行对应于物理行ID；从所述各个物理行检索数据，检索的步骤包括将各个哈希缸复制到读取缓存，所述各个哈希缸包括：各个哈希桶，所述各个哈希桶包括所述各个物理行；各个参考计数器桶，所述各个参考计数器桶包括与所述各个物理行相关联的各个参考计数器。
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公开(公告)号：CN111597501B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202010104592.7
申请日：2020-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种自适应性矩阵乘法器的系统。在一些实施例中，所述自适应性矩阵乘法器的系统包括第一乘法单元、第二乘法单元、存储器加载电路及外缓冲器电路。所述第一乘法单元包括第一内缓冲器电路及第二内缓冲器电路，且所述第二乘法单元包括第一内缓冲器电路及第二内缓冲器电路。所述存储器加载电路被配置成在突发脉冲存储器访问模式的单个突发脉冲中将来自存储器的数据加载到以下中：第一乘法单元的第一内缓冲器电路；以及第二乘法单元的第一内缓冲器电路。
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公开(公告)号：CN108345433A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810070223.3
申请日：2018-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G06F3/0607 , G06F3/0641 , G06F3/0673
Abstract: 本发明公开一种用于最大化的可去重存储器的方法、存储器系统和产品。存储器系统可以包含大哈希表和小哈希表。存储器系统还可以包含溢出区域以及用于将逻辑地址映射到物理行标识符(PLID)的转换表，物理行标识符可以包含区域标识符和物理地址。
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公开(公告)号：CN110851076B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN201910764183.7
申请日：2019-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 一种存储器系统针对在主机系统的虚拟存储器空间中重复的用户数据对系统的物理存储器空间中的用户数据提供删除重复。事务管理器使用事务表来为虚拟存储器空间维护数据相干性及数据并发性。写入数据引擎管理器使用未完成桶编号及命令队列来为物理存储器空间维护数据相干性及数据并发性。写入数据引擎管理器从事务管理器接收数据写入请求，并将对应的写入命令发送到所选命令队列。写入数据引擎通过以下来对命令队列中的写入命令作出响应：如果数据未在虚拟存储器空间中重复，则将数据存储在溢出存储器区中；或者如果数据在虚拟存储器空间中重复，则使数据的参考计数器递增。也提供一种删除重复存储器系统。
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公开(公告)号：CN113628647A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110494510.9
申请日：2021-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储器模块可以包括一个或多个存储器设备，以及耦合到一个或多个存储器设备的近存储器计算模块；近存储器计算模块包括被配置为处理来自一个或多个存储器设备的数据的一个或多个处理元件，以及被配置为协调来自主机和一个或多个处理元件的对一个或多个存储器设备的访问的存储器控制器。一种处理数据集的方法可以包括：将数据集的第一部分分布到第一存储器模块，将数据集的第二部分分布到第二存储器模块，基于数据集的第一部分在第一存储器模块处构建第一本地数据结构，基于数据集的第二部分在第二存储器模块处构建第二本地数据结构，以及合并第一和第二本地数据结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111597501A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010104592.7
申请日：2020-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种自适应性矩阵乘法器的系统。在一些实施例中，所述自适应性矩阵乘法器的系统包括第一乘法单元、第二乘法单元、存储器加载电路及外缓冲器电路。所述第一乘法单元包括第一内缓冲器电路及第二内缓冲器电路，且所述第二乘法单元包括第一内缓冲器电路及第二内缓冲器电路。所述存储器加载电路被配置成在突发脉冲存储器访问模式的单个突发脉冲中将来自存储器的数据加载到以下中：第一乘法单元的第一内缓冲器电路；以及第二乘法单元的第一内缓冲器电路。
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公开(公告)号：CN107870873A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710651575.3
申请日：2017-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/0862
CPC classification number: G06F12/0862 , G06F12/0868 , G06F2212/214 , G06F2212/281 , G06F2212/313 , G06F2212/6022 , G06F2212/6026
Abstract: 一种基于按字节编址闪存的存储器模块和操作其的方法。一种将数据存储在存储器模块中的方法，所述存储器模块包括模块中预取器、模块中预取缓冲器、存储器和存储器控制器，所述方法包括：将地址信息从模块中预取器发送到存储器控制器和预取缓冲器；基于发送到存储器控制器的地址信息与发送到预取缓冲器的地址信息的比较，确定预取精度；基于预取精度，确定预取模式；基于预取模式，将数据存储在存储器中。
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公开(公告)号：CN107870873B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201710651575.3
申请日：2017-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/0862
Abstract: 一种基于按字节编址闪存的存储器模块和操作其的方法。一种将数据存储在存储器模块中的方法，所述存储器模块包括模块中预取器、模块中预取缓冲器、存储器和存储器控制器，所述方法包括：将地址信息从模块中预取器发送到存储器控制器和预取缓冲器；基于发送到存储器控制器的地址信息与发送到预取缓冲器的地址信息的比较，确定预取精度；基于预取精度，确定预取模式；基于预取模式，将数据存储在存储器中。
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公开(公告)号：CN109460183B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201810913176.4
申请日：2018-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06 , G06F12/0868 , G06F13/28
Abstract: 描述了一种用于存储器的事务管理器。事务管理器可以包括写数据缓冲器，用于存储未完成的写请求；读数据多路复用器，用于在从存储器和写数据缓冲器读取的数据之间进行选择；命令队列和优先队列，用于存储针对存储器的请求；以及事务表，用于跟踪未完成的写请求，每个写请求与无效、已修改和已转发状态相关联。
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公开(公告)号：CN108363620B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN201810007083.5
申请日：2018-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F9/50
Abstract: 一种内存模块包括：主机接口，其被配置为提供到主计算机的接口；一个或多个内存设备；去重引擎，其被配置为提供大于所述一个或多个内存设备的物理大小的所述内存模块的虚拟内存容量；内存控制器，其用于控制对所述一个或多个内存设备的访问；易失性存储器，其包括哈希表、溢出内存区域和信用单元，其中，当哈希冲突发生或哈希表满时，溢出内存区域存储用户数据，并且其中，信用单元存储溢出内存区域中的无效条目的地址；以及控制逻辑，其被配置为控制溢出内存区域和信用单元，并且生成指示溢出内存区域和信用单元的状态的警告。
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