公开(公告)号：CN117529091A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202310967170.6

申请日：2023-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴周城

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：基板；下电极，在基板上；电介质层，在下电极上；上电极，在电介质层上；接触结构，连接到上电极；以及布线层，在接触结构上，其中接触结构包括下插塞和在下插塞上的上插塞，下插塞的上表面与上电极的上表面基本上共面，下插塞的上表面的第一宽度比上插塞的下表面的第二宽度窄，上插塞的下表面与下插塞的上表面接触。

公开(公告)号：CN115483212A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202210386239.1

申请日：2022-04-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔祐荣 ,  吴周城 ,  黄有商

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8242

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括具有第一有源区的单元区域和具有第二有源区的外围电路区域；直接接触，接触单元区域中的第一有源区；位线结构，设置在直接接触上；电容器结构，电连接到第一有源区；栅极结构，设置在外围电路区域中的第二有源区上；下布线层，与栅极结构相邻地设置并电连接到第二有源区；上布线层，设置在下布线层上；布线绝缘层，设置在下布线层和上布线层之间；以及上接触插塞，连接到下布线层和上布线层中的至少一个并且延伸穿过布线绝缘层。