公开(公告)号：CN108572796B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201810158439.5

申请日：2018-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 霍囝囝 ,  维卡斯·K·辛哈 ,  古内斯瓦拉·R·马里普迪 ,  英迪拉·约什 ,  哈里·R·罗杰斯

IPC: G06F3/06

Abstract: 本发明涉及具有异构NVM类型的SSD。本发明还涉及一种存储设备。该设备包括低延迟持久性存储器和高延迟非易失性存储器两者。持久性存储器可以用于写高速缓存或用于日记记录。可以使用B树来维护临时存储在持久性存储器中的写入请求的索引。在写入请求存储在持久性存储器中时，可以在非易失性存储器中执行垃圾收集。

公开(公告)号：CN108572796A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810158439.5

申请日：2018-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 霍囝囝 ,  维卡斯·K·辛哈 ,  古内斯瓦拉·R·马里普迪 ,  英迪拉·约什 ,  哈里·R·罗杰斯

IPC: G06F3/06

CPC classification number: G06F3/0611 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/068 ,  G06F3/0685 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0253 ,  G06F2212/1044 ,  G06F2212/72 ,  G06F2212/7205 ,  G06F3/0604 ,  G06F3/0629 ,  G06F3/0688

Abstract: 本发明涉及具有异构NVM类型的SSD。本发明还涉及一种存储设备。该设备包括低延迟持久性存储器和高延迟非易失性存储器两者。持久性存储器可以用于写高速缓存或用于日记记录。可以使用B树来维护临时存储在持久性存储器中的写入请求的索引。在写入请求存储在持久性存储器中时，可以在非易失性存储器中执行垃圾收集。