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公开(公告)号：CN116347895A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211649709.5
申请日：2022-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种磁存储器件，该磁存储器件包括：在基板上沿第一方向延伸的写入字线和读取字线，写入字线和读取字线在第二方向上彼此间隔开并平行于基板的底表面；第一源极/漏极接触，在写入字线的一侧并在第一方向上彼此间隔开；第二源极/漏极接触，在读取字线的一侧并在第一方向上彼此间隔开；磁隧道结图案，电连接到第二源极/漏极接触；以及自旋轨道转矩线，在磁隧道结图案上并且电连接到第一源极/漏极接触。磁隧道结图案在第三方向上彼此间隔开。自旋轨道转矩线在第三方向上彼此间隔开。
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