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发明公开
半导体装置审中-实审

公开(公告)号：CN114121883A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110980401.8

申请日：2021-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李运基 , 金载元 , 郑钟先 , 朴哲重 , 千基范 , 希弗斯汉克尔·雷迪·凯西雷迪 , 表尚佑

IPC: H01L23/528

Abstract: 一种半导体装置包括：半导体衬底；集成装置，其位于半导体衬底上；第一重新分布层，其位于半导体衬底上，第一重新分布层具有电连接到集成装置的第一导电图案；第二重新分布层，其位于第一重新分布层上，第二重新分布层具有连接到第一导电图案的第二导电图案；以及第三导电图案，其位于第二重新分布层的顶表面上。第三导电图案包括：焊盘，其连接到第二导电图案；底凸块焊盘，其与焊盘间隔开；分组图案，其位于焊盘与第二重新分布层的外边缘之间；以及布线，其将底凸块焊盘连接到焊盘，并将焊盘连接到分组图案。

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