公开(公告)号：CN111223862B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN201910830939.3

申请日：2019-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全宰贤 ,  朴世根 ,  朴桐湜 ,  申硕浩

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了半导体装置以及制造其的方法。半导体装置包括基底，基底包括在一方向上纵向延伸的多个有源区和使所述多个有源区彼此电隔离的隔离区。半导体装置包括延伸穿过所述多个有源区和隔离区的栅极沟槽。半导体装置包括在栅极沟槽中延伸的栅极结构。半导体装置包括在所述多个有源区中的每个中位于栅极沟槽和栅极结构之间的栅极介电层。栅极结构在所述多个有源区中的每个有源区中具有在所述方向上的第一宽度，并且在隔离区中具有在所述方向上的不同于第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN111223862A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201910830939.3

申请日：2019-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全宰贤 ,  朴世根 ,  朴桐湜 ,  申硕浩

IPC: H01L27/108

Abstract: 提供了半导体装置以及制造其的方法。半导体装置包括基底，基底包括在一方向上纵向延伸的多个有源区和使所述多个有源区彼此电隔离的隔离区。半导体装置包括延伸穿过所述多个有源区和隔离区的栅极沟槽。半导体装置包括在栅极沟槽中延伸的栅极结构。半导体装置包括在所述多个有源区中的每个中位于栅极沟槽和栅极结构之间的栅极介电层。栅极结构在所述多个有源区中的每个有源区中具有在所述方向上的第一宽度，并且在隔离区中具有在所述方向上的不同于第一宽度的第二宽度。