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公开(公告)号：CN118843345A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410418973.0
申请日：2024-04-09
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10K59/121 , H10K59/123 , H10K59/131 , H10K59/12
Abstract: 本公开涉及显示装置和用于制造显示装置的方法。显示装置包括：像素，包括第一晶体管；以及驱动电路，包括第二晶体管。第一晶体管包括：第一有源层，包括第一沟道区域以及彼此间隔开的第一源极区域和第一漏极区域，第一沟道区域在第一源极区域和第一漏极区域之间；第一栅极绝缘层，在第一有源层上并且覆盖第一沟道区域、第一源极区域和第一漏极区域；以及第一栅极电极，在第一栅极绝缘层上并且与第一沟道区域重叠。第二晶体管包括：第二有源层，包括第二沟道区域以及彼此间隔开的第二源极区域和第二漏极区域，第二沟道区域在第二源极区域和第二漏极区域之间；第二栅极绝缘层，在第二有源层的包括第二沟道区域的部分上并且暴露第二源极区域和第二漏极区域；以及第二栅极电极，设置在第二栅极绝缘层上并且与第二沟道区域重叠。
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公开(公告)号：CN111435712A
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN202010035241.5
申请日：2020-01-14
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 提供了一种有机发光二极管显示器及其制造方法。所述有机发光二极管显示器包括：基底，包括显示区域和垫区域；第一薄膜晶体管，设置在显示区域上；有机发光二极管，连接到第一薄膜晶体管；垫电极，设置在垫区域上；以及垫接触电极，设置在垫电极的上部上并电连接到垫电极。有机发光二极管包括阳极、有机发射层和阴极。阳极包括下层、中间层和上层。垫接触电极由阳极的下层的材料形成。
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公开(公告)号：CN117238247A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310057340.7
申请日：2023-01-18
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: G09G3/3233 , G09G3/32
Abstract: 像素电路可以包括：第一驱动晶体管，包括与第一节点连接的栅极电极、接收第一电源电压的第一电极、与第二节点连接的第二电极；第二驱动晶体管，包括与第二节点连接的栅极电极、接收第一电源电压的第一电极、与第二节点连接的第二电极以及与第一节点连接的背侧栅极电极；写入晶体管，包括接收写入栅极信号的栅极电极、接收数据电压的第一电极以及与第一节点连接的第二电极；存储电容器，包括与第一节点连接的第一电极以及与第二节点连接的第二电极；以及发光元件，包括与第二节点连接的第一电极以及接收第二电源电压的第二电极。
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公开(公告)号：CN104779254A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201410850991.2
申请日：2014-12-31
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/133512 , G02F1/133514 , G02F1/1368 , G02F2001/133519 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , H01L21/443 , H01L21/76852 , H01L23/53238 , H01L27/1225 , H01L27/1259 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/66765 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。栅极电极设置在基板上。半导体层设置在栅极电极上。栅极绝缘层设置在栅极电极和半导体层之间。源极电极设置在半导体层的第一侧，并具有第一侧表面。漏极电极设置在半导体层的第二侧，并具有第二侧表面。第一和第二侧表面限定重叠栅极电极的间隔。金属硅化物层设置在第一和第二侧表面上。钝化层设置在金属硅化物层、源极电极和漏极电极上。钝化层不与第一和第二侧表面接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114447053A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111282061.8
申请日：2021-11-01
Applicant: 三星显示有限公司
Inventor： 金俊杰 , 金璱基 , 全映宰 , 姜炫丞 , 金承来 , 金钟仁 , 方硕焕 , 孙升锡 , 申东勋 , 尹甲洙 , 李光洙 , 李禹根 , 李在贤 , 秦基洙 , 崔畯焕 , 许宗茂 , 洪知润
Abstract: 本发明提供了显示装置以及制造显示装置的方法。该显示装置包括：基板，包括显示区域以及与显示区域相邻的外围区域；薄膜晶体管，位于基板的显示区域中并且包括半导体层以及与半导体层的沟道区重叠的栅电极；导电层，设置在基板和半导体层之间并且包括位于基板的显示区域中的第一电极以及位于基板的外围区域中的焊盘电极；以及第一绝缘层，设置在导电层和半导体层之间并且具有暴露焊盘电极的上表面的至少一部分的第一开口。
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公开(公告)号：CN113658976A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110423709.2
申请日：2021-04-20
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 本公开涉及一种显示装置，包括：薄膜晶体管，位于显示区中并且包括半导体层和栅电极；存储电容器，位于显示区中并且包括彼此交叠的第一电容器板、第二电容器板和虚设电容器板；发光二极管，电连接到薄膜晶体管和存储电容器并且包括像素电极、中间层和对电极；焊盘，位于与显示区相邻的周边区中；下电极图案层，设置在半导体层下方，下电极图案层的至少一部分与半导体层交叠；以及桥电极，将半导体层电连接到下电极图案层。
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公开(公告)号：CN112542087B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202010919725.6
申请日：2020-09-04
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 提供了显示装置。显示装置包括衬底、第一导电层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层和第二导电层，其中，第一导电层位于衬底上，第一导电层包括数据信号线，第一绝缘层位于第一导电层上，半导体层位于第一绝缘层上，半导体层包括第一半导体图案，第二绝缘层位于半导体层上，并且第二导电层位于第二绝缘层上，第二导电层包括栅电极、晶体管第一电极和晶体管第二电极，其中，栅电极布置成与第一半导体图案重叠，晶体管第一电极布置成与第一半导体图案的部分重叠，其中，晶体管第一电极通过穿透第一绝缘层和第二绝缘层的接触孔电连接到数据信号线，并且晶体管第二电极布置成与第一半导体图案的另外部分重叠。
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公开(公告)号：CN113540121A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110395785.7
申请日：2021-04-13
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/12
Abstract: 本发明的一实施例涉及的显示装置包括：基板，包括显示区域以及非显示区域；半导体层，位于所述基板的所述非显示区域且包括源极区域、沟道区域以及漏极区域；栅电极，被设置成与所述半导体层的所述沟道区域重叠，在该栅电极与所述半导体层的所述沟道区域之间设有栅极绝缘膜；源电极，与所述半导体层的所述源极区域连接；以及漏电极，与所述半导体层的所述漏极区域连接，所述栅电极的一侧面与所述漏电极重叠。
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公开(公告)号：CN112542087A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202010919725.6
申请日：2020-09-04
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 提供了显示装置。显示装置包括衬底、第一导电层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层和第二导电层，其中，第一导电层位于衬底上，第一导电层包括数据信号线，第一绝缘层位于第一导电层上，半导体层位于第一绝缘层上，半导体层包括第一半导体图案，第二绝缘层位于半导体层上，并且第二导电层位于第二绝缘层上，第二导电层包括栅电极、晶体管第一电极和晶体管第二电极，其中，栅电极布置成与第一半导体图案重叠，晶体管第一电极布置成与第一半导体图案的部分重叠，其中，晶体管第一电极通过穿透第一绝缘层和第二绝缘层的接触孔电连接到数据信号线，并且晶体管第二电极布置成与第一半导体图案的另外部分重叠。
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