公开(公告)号：CN103451607A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310213423.7

申请日：2013-05-31

Applicant: 三星康宁精密素材株式会社

Inventor： 河真珠 ,  李承柱 ,  吴珠惠 ,  赵耀翰 ,  朴柱玉 ,  孙仁成 ,  李炯录 ,  韩镇宇

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/24 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 用于沉积具有高的电子迁移率和高的操作可靠性的薄膜的氧化物半导体溅射靶、使用该氧化物半导体溅射靶制造薄膜晶体管（TFT）的方法和使用该氧化物半导体溅射靶制造的TFT。该氧化物半导体溅射靶在TFT上沉积有源层的溅射工艺中使用。该氧化物半导体溅射靶由基于含有铟（In）、锡（Sn）、镓（Ga）和氧（O）的组合物的材料制成。该方法包括用上述氧化物半导体溅射靶沉积有源层的步骤。该薄膜晶体管可用在诸如液晶显示器（LCD）或有机发光显示器（OLED）的显示装置中。