制造平面光源器件的方法及其装置

    公开(公告)号:CN1992127A

    公开(公告)日:2007-07-04

    申请号:CN200610168275.1

    申请日:2006-12-25

    CPC classification number: H01J9/248 H01J9/395

    Abstract: 本发明提供了制造平面光源器件的方法,以及利用这种方法制造平面光源器件的装置。根据本方法,形成光源体,所述光源体包含多个注入放电气体的放电空间。去除放电空间内存在的杂质。将水银气体扩散到放电空间。随后,将光源体从水银以气态存在时的温度快速冷却到室温。显著缩短了水银气体在其液化时的温度范围内的时间,从而防止液化的水银移动到放电空间内的低温区域。

    有二次电子发射层的表面光源器件及制造方法和背光单元

    公开(公告)号:CN101137256A

    公开(公告)日:2008-03-05

    申请号:CN200710142575.7

    申请日:2007-08-29

    Abstract: 提供一种用于表面光源器件的衬底,其包括:在衬底表面上形成的包括晶体氧化镁(MgO)粉末的第一二次电子发射层。还提供一种表面光源器件,其包括:以预定距离彼此面对的第一衬底210和第二衬底220,在这两个衬底之间形成放电空间,以及向放电空间施加放电电压的电极,其中在第一衬底和第二衬底的至少一个的表面上形成包括晶体MgO粉末的第一二次电子发射层211。较佳地,晶体MgO粉末通过研磨MgO溅射靶获得。提供一种背光单元,其包括:表面光源器件,其包括:形成在第一衬底和第二衬底之间的放电空间,向放电空间施加放电电压的电极,以及位于第一衬底和第二衬底的至少一个的表面上的包括晶体MgO粉末的第一二次电子发射层;容纳表面光源器件的壳体;以及向电极施加放电电压的逆变器。较佳地,在衬底的表面下形成与二次电子发射材料进行离子交换的第二二次电子发射层212。

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