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公开(公告)号:CN1958887A
公开(公告)日:2007-05-09
申请号:CN200610150276.3
申请日:2006-10-18
Applicant: 三星康宁株式会社
Abstract: 一种单晶a-平面氮化物半导体晶片,其包括在结晶生长方向上的1-3个定向平面,其中a-平面({11-20}平面)形成为主平面。由于可以容易地识别平面定向,因而当在氮化物半导体晶片上形成半导体器件时可以改善精确度。
公开(公告)号:CN1958887A
公开(公告)日:2007-05-09
申请号:CN200610150276.3
申请日:2006-10-18
Applicant: 三星康宁株式会社
Abstract: 一种单晶a-平面氮化物半导体晶片,其包括在结晶生长方向上的1-3个定向平面,其中a-平面({11-20}平面)形成为主平面。由于可以容易地识别平面定向,因而当在氮化物半导体晶片上形成半导体器件时可以改善精确度。