公开(公告)号：CN115298353B

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202180021746.9

申请日：2021-03-23

Applicant: 三得利控股株式会社

Inventor： 西山优范 ,  赤沼泰彦 ,  铃木哲也 ,  白仓昌 ,  田中卓己 ,  三家本琴乃

IPC: C23C16/511 ,  H05H1/24

Abstract: 本发明提供一种等离子体CVD装置及覆盖膜形成方法，在包括塑料瓶等具有立体形状的基材的各种基材的表面上，能够在大气压下形成覆盖膜。一个实施方式的大气压远程等离子体CVD装置具备：具有气体入口、内部空间和等离子体出口的电介体腔室；及在内部空间内产生等离子体的等离子体产生装置。等离子体出口具备喷嘴，该喷嘴具有比内部空间的正交于气体流动方向的截面的平均截面面积更小的开口面积。

公开(公告)号：CN115298353A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202180021746.9

申请日：2021-03-23

Applicant: 三得利控股株式会社

Inventor： 西山优范 ,  赤沼泰彦 ,  铃木哲也 ,  白仓昌 ,  田中卓己 ,  三家本琴乃

IPC: C23C16/511 ,  H05H1/24

Abstract: 本发明提供一种等离子体CVD装置及覆盖膜形成方法，在包括塑料瓶等具有立体形状的基材的各种基材的表面上，能够在大气压下形成覆盖膜。一个实施方式的大气压远程等离子体CVD装置具备：具有气体入口、内部空间和等离子体出口的电介体腔室；及在内部空间内产生等离子体的等离子体产生装置。等离子体出口具备喷嘴，该喷嘴具有比内部空间的正交于气体流动方向的截面的平均截面面积更小的开口面积。