公开(公告)号：CN116641092A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310515000.4

申请日：2023-05-04

Applicant: 三峡大学

Inventor： 吕晓伟 ,  杨雪蓉 ,  童焜 ,  彭梦阳 ,  张顺 ,  陈德国 ,  孙盼盼 ,  孙小华

IPC: C25B11/091 ,  C25B11/067 ,  C25B11/063 ,  C25B1/04 ,  C25B1/55

Abstract: 本发明提供了一种过渡金属改性聚合物氮化碳薄膜电极的制备方法，包括以下步骤：S1、以双氰胺和三聚氰酸为前躯体，通过气相沉积的方法制备聚合物氮化碳薄膜电极；S2、将聚合物氮化碳薄膜电极置于过渡金属盐溶液中进行浸泡处理，即得过渡金属改性聚合物氮化碳薄膜电极。本方法制备的聚合物氮化碳薄膜的均匀性好，重复性高，且相比于改性前聚合物氮化碳薄膜的光电化学性能得到显著的提升。