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公开(公告)号：CN109444513A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811481718.1
申请日：2018-12-05
Applicant: 三峡大学
IPC: G01R19/00
Abstract: 一种双磁芯低温漂霍尔电流传感器，两个几何尺寸一样、开口气隙厚度不一样的磁环作为传感器的磁芯，两个特性完全一致的霍尔芯片分别放入两个磁环开口气隙处，两个霍尔芯片输出分别接入低温漂差分放大器的正、负输入端，构成双磁芯低温漂霍尔电流传感器。利用减法器将两个霍尔芯片输出电压相减，得到两者电压之差，并用放大器对此电压差进行放大，得到与待测电流呈正比的电压输出。本发明一种双磁芯低温漂霍尔电流传感器，在不需要温度补偿电路的情况下，能够明显改善开环霍尔电流传感器温度漂移，提高灵敏度和精度。
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公开(公告)号：CN109444513B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN201811481718.1
申请日：2018-12-05
Applicant: 三峡大学
IPC: G01R19/00
Abstract: 一种双磁芯低温漂霍尔电流传感器，两个几何尺寸一样、开口气隙厚度不一样的磁环作为传感器的磁芯，两个特性完全一致的霍尔芯片分别放入两个磁环开口气隙处，两个霍尔芯片输出分别接入低温漂差分放大器的正、负输入端，构成双磁芯低温漂霍尔电流传感器。利用减法器将两个霍尔芯片输出电压相减，得到两者电压之差，并用放大器对此电压差进行放大，得到与待测电流呈正比的电压输出。本发明一种双磁芯低温漂霍尔电流传感器，在不需要温度补偿电路的情况下，能够明显改善开环霍尔电流传感器温度漂移，提高灵敏度和精度。
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公开(公告)号：CN209432889U
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201822033682.2
申请日：2018-12-05
Applicant: 三峡大学
IPC: G01R19/00
Abstract: 一种双磁芯低温漂霍尔电流传感器，两个几何尺寸一样、开口气隙厚度不一样的磁环作为传感器的磁芯，两个特性完全一致的霍尔芯片分别放入两个磁环开口气隙处，两个霍尔芯片输出分别接入低温漂差分放大器的正、负输入端，构成双磁芯低温漂霍尔电流传感器。利用减法器将两个霍尔芯片输出电压相减，得到两者电压之差，并用放大器对此电压差进行放大，得到与待测电流呈正比的电压输出。本实用新型一种双磁芯低温漂霍尔电流传感器，在不需要温度补偿电路的情况下，能够明显改善开环霍尔电流传感器温度漂移，提高灵敏度和精度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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