半导体发光器件
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101436633A

    公开(公告)日:2009-05-20

    申请号:CN200810161485.7

    申请日:2008-10-06

    Inventor: 塚越功二

    CPC classification number: H01L33/507 H01L33/483 H01L33/56

    Abstract: 一种半导体发光器件,包括:具有凹部的基部;设置在该凹部中的发光元件;填充在该凹部中的树脂;以及包含荧光粉的树脂层,该包含荧光粉的树脂层包含波长变换物质,并且被设置成封闭该凹部的开口部分。包含荧光粉的树脂层具有比填充在凹部中的树脂低的热膨胀系数。

    半导体发光器件
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101436633B

    公开(公告)日:2011-03-30

    申请号:CN200810161485.7

    申请日:2008-10-06

    Inventor: 塚越功二

    CPC classification number: H01L33/507 H01L33/483 H01L33/56

    Abstract: 一种半导体发光器件,包括:具有凹部的基部;设置在该凹部中的发光元件;填充在该凹部中的树脂;以及包含荧光粉的树脂层,该包含荧光粉的树脂层包含波长变换物质,并且被设置成封闭该凹部的开口部分。包含荧光粉的树脂层具有比填充在凹部中的树脂低的热膨胀系数。

Patent Agency Ranking