公开(公告)号：CN115667150B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202180037455.9

申请日：2021-04-05

Applicant: 三井金属矿业株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 米田佳弘 ,  马渡芳夫 ,  秋次宏二 ,  矶部敏宏

IPC: C01G25/00 ,  C01B25/37 ,  C01B25/45

Abstract: 本发明提供显示出负的热膨胀率、并且绝缘电阻高的新型化合物。其是由组成式Zr2.00‑bMbSYPZO12.00+δ(式中，M为选自Ti、Ce、Sn、Mn、Hf、Ir、Pb、Pd、Cr、W、Mo中的至少1种，0≤b 2.00，δ为按照满足电荷中性条件的方式确定的值)所表示的化合物。

公开(公告)号：CN105378855A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201480002395.7

申请日：2014-10-20

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 瓦谷浩一 ,  马渡芳夫

IPC: H01B5/00 ,  C01B13/14 ,  C01B13/18 ,  C01G19/00 ,  H01B1/00 ,  H01B1/20 ,  H01B13/00

CPC classification number: C01G30/00 ,  C01P2002/50 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/40 ,  H01B1/08

Abstract: 本发明的导电性粒子是在芯材的表面具有由含有掺杂元素的导电性氧化锡构成的覆盖层的导电性粒子，其中，在覆盖层中，掺杂元素偏在于覆盖层的表面侧。导电性粒子的BET比表面积为20m2/g～50m2/g、体积电阻为1.0×100Ω·cm～1.0×103Ω·cm是优选的。在覆盖层中，掺杂元素的量从所述覆盖层的表面侧朝着芯材侧递减也是优选的。

公开(公告)号：CN115667150A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202180037455.9

申请日：2021-04-05

Applicant: 三井金属矿业株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 米田佳弘 ,  马渡芳夫 ,  秋次宏二 ,  矶部敏宏

IPC: C01G25/00 ,  C01B25/37 ,  C01B25/45

Abstract: 本发明提供显示出负的热膨胀率、并且绝缘电阻高的新型化合物。其是由组成式Zr2.00‑bMbSYPZO12.00+δ(式中，M为选自Ti、Ce、Sn、Mn、Hf、Ir、Pb、Pd、Cr、W、Mo中的至少1种，0≤b 2.00，δ为按照满足电荷中性条件的方式确定的值)所表示的化合物。

公开(公告)号：CN104743605A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410812270.2

申请日：2014-12-23

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 井关博行 ,  马渡芳夫

IPC: C01G19/02

CPC classification number: H01B1/20 ,  H01B1/08

Abstract: 本发明提供一种导电性粒子、包含其的导电性组合物和导电膜，所述导电性粒子的构成是含有至少一种四价以下的低价数元素的氧化锡位于芯材的表面。含有低价数元素的前述氧化锡的微晶直径为5nm～20nm。低价数元素优选为周期表的第1族元素、周期表的第2族元素、周期表的第4族元素、周期表的第12族元素或周期表的第13族元素。低价数元素相对于锡的含有比例为0.045mol％～20mol％也是合适的。