光记录体及其制造方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1018212B

    公开(公告)日:1992-09-09

    申请号:CN89102691.6

    申请日:1989-04-22

    Abstract: 一种光记录体,包括基体和形成在其上的记录层,其中记录层被能量束辐照以在其上形成相应于给定信息的信息单元,从而记录该信息。记录层含有Te、Cr、C和H,其中Cr的比例(基于构成该记录层的所有原子)为0.1-40%(原子),而记录层中所含的C的这一比例为0.1-40%(原子)。由于记录层中含有Tc、Cr、C和H,因此记录层的耐氧化能力得到了提高且光记录体的使用寿命得到了延长。

    光记录体及其制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1039318A

    公开(公告)日:1990-01-31

    申请号:CN89102691.6

    申请日:1989-04-22

    Abstract: 一种光记录体,包括基体和形成在其上的记录层,其中记录层被能量束辐照以在其上形成相应于给定信息的信息单元,从而记录该信息。记录层含有Te、Cr、C和H,其中Cr的比例(基于构成该记录层的所有原子)为0.1—40%(原子)而记录层中所含的C的这一比例为0.1—40%(原子)。由于记录层中含有Te、Cr、C和H,因此记录层的耐氧化能力得到了提高且光记录体的使用寿命得到了延长。

    光记录体及其制造方法
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1020312C

    公开(公告)日:1993-04-14

    申请号:CN92101385.X

    申请日:1989-04-22

    Abstract: 一种光记录体,包括基体、形成其上的内层及形成于该内层上的记录层,其中记录层被能量束辐照以在其上形成相应于给定信息的信息单元,从而记录该信息。记录层含有Te、Cr、C和H,其中Cr的比例(基于构成该记录层的所有原子)为0.1-40%(原子),而记录层中所含的C的这一比例为0.1-40%(原子)。由于记录层中含有Te、Cr、C和H,因此记录层的耐氧化能力得到了提高且光记录体的使用寿命得到了延长。

    光记录体及其制造方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1063772A

    公开(公告)日:1992-08-19

    申请号:CN92101385.X

    申请日:1989-04-22

    Abstract: 一种光记录体,包括基体、形成其上的内层及形成于该内层上的记录层,其中记录层被能量束辐照以在其上形成相应于给定信息的信息单元,从而记录该信息。记录层含有Te、Cr、C和H,其中Cr的比例(基于构成该记录层的所有原子)为0.1—40%(原子),而记录层中所含的C的这一比例为0.1—40%(原子)。由于记录层中含有Te、Cr、C和H,因此记录层的耐氧化能力得到了提高且光记录体的使用寿命得到了延长。

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