Saved successfully
Save failed
Saved Successfully
Save Failed
公开(公告)号：CN115004108A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202180009908.7
申请日：2021-02-16
Applicant: 三井化学株式会社
Inventor： 大久保敦 , 高村一夫 , 石川比佐子 , 小野阳介 , 藤井泰久 , 吉川弥 , 松本信子 , 出口朋枝
IPC: G03F1/62 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置、半导体装置的制造方法以及防护膜组件的制造方法，所述防护膜包含碳纳米管，所述碳纳米管至少在表面层侧含有碳的至少一部分被硅取代的碳化硅层。
