公开(公告)号：CN109564867B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN201780048666.6

申请日：2017-08-02

Applicant: (株)SEP

Inventor： 李相老 ,  金允焕 ,  徐在亨 ,  金技薰 ,  李智英

IPC: H01L21/306 ,  G03F7/20 ,  G03F1/80 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明涉及纳米突起形成方法及具有通过该方法形成的纳米突起表面的母材，其特征在于，在不使用纳米掩模(mask)的情况下，通过使用酸溶液的湿式蚀刻工序来形成包括具有数nm～数十nm的宽度的纳米突起的抗反射层和/或包括数十nm～数μm的宽度的突起的防眩光层。

公开(公告)号：CN109564867A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780048666.6

申请日：2017-08-02

Applicant: (株)SEP

Inventor： 李相老 ,  金允焕 ,  徐在亨 ,  金技薰 ,  李智英

IPC: H01L21/306 ,  G03F7/20 ,  G03F1/80 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明涉及纳米突起形成方法及具有通过该方法形成的纳米突起表面的母材，其特征在于，在不使用纳米掩模(mask)的情况下，通过使用酸溶液的湿式蚀刻工序来形成包括具有数nm～数十nm的宽度的纳米突起的抗反射层和/或包括数十nm～数μm的宽度的突起的防眩光层。