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公开(公告)号：CN110034136A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811496097.4
申请日：2018-12-07
Applicant: X-SCAN映像股份有限公司
Inventor： 曾信夫
IPC: H01L27/146 , G01N23/083 , G01N23/10
Abstract: 一种双能量范围X射线检测器，被实现为平面和单片半导体基板上的并排像素阵列，作为X射线物体检测器的一部分。这种并排的单片布置中的每个像素阵列被设计成响应于特定的X射线能量范围或光谱，以提供高物体灵敏度和材料辨别能力。像素阵列的并排单片结构改善了对准和间隔精度，以改善专用于检测不同能阶和特征的不同阵列之间的图像对准。此外，设置在像素阵列的辐射屏蔽外围上的集成信号处理电路能够通过增强的噪声降低和/或灵敏度来改善检测性能。这种新颖的配置可通过增加并排和单片放置的像素阵列的数量来扩展，每个像素阵列专门用于检测来自被扫描物体的特定能量范围。
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公开(公告)号：CN102611853A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110266773.0
申请日：2011-09-09
Applicant: X-SCAN映像股份有限公司
CPC classification number: H04N5/32 , H04N5/3743 , H04N5/378
Abstract: 本发明公开一种由M个像素所构成的互补金属氧化物半导体(CMOS)时间延迟与积分(TDI)式影像感测器，各像素是由一行N个时间延迟与积分级所形成。各时间延迟与积分级包括：一光二极管，其收集光电荷；以及一前置放大器，其将光电荷依比例地转换成电压。各时间延迟与积分级亦包含一组电容器、放大器、以及开关用于储存积分信号电压，而相关双取样与维持(CDS)技术(真实或拟似)同时维持光信号与重设电压。此互补金属氧化物半导体时间延迟与积分结构特别有利于执行X光扫瞄侦测器系统，其须要大尺寸像素与信号处理电路，并可使信号处理电路与光二极管阵列实体地分开，以便屏蔽信号电路免受X光的辐射损害。
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公开(公告)号：CN110034136B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN201811496097.4
申请日：2018-12-07
Applicant: X-SCAN映像股份有限公司
Inventor： 曾信夫
IPC: H01L27/146 , G01N23/083 , G01N23/10
Abstract: 一种双能量范围X射线检测器，被实现为平面和单片半导体基板上的并排像素阵列，作为X射线物体检测器的一部分。这种并排的单片布置中的每个像素阵列被设计成响应于特定的X射线能量范围或光谱，以提供高物体灵敏度和材料辨别能力。像素阵列的并排单片结构改善了对准和间隔精度，以改善专用于检测不同能阶和特征的不同阵列之间的图像对准。此外，设置在像素阵列的辐射屏蔽外围上的集成信号处理电路能够通过增强的噪声降低和/或灵敏度来改善检测性能。这种新颖的配置可通过增加并排和单片放置的像素阵列的数量来扩展，每个像素阵列专门用于检测来自被扫描物体的特定能量范围。
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公开(公告)号：CN102611853B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201110266773.0
申请日：2011-09-09
Applicant: X-SCAN映像股份有限公司
CPC classification number: H04N5/32 , H04N5/3743 , H04N5/378
Abstract: 本发明公开一种由M个像素所构成的互补金属氧化物半导体(CMOS)时间延迟与积分(TDI)式影像感测器，各像素是由一行N个时间延迟与积分级所形成。各时间延迟与积分级包括：一光二极管，其收集光电荷；以及一前置放大器，其将光电荷依比例地转换成电压。各时间延迟与积分级亦包含一组电容器、放大器、以及开关用于储存积分信号电压，而相关双取样与维持(CDS)技术(真实或拟似)同时维持光信号与重设电压。此互补金属氧化物半导体时间延迟与积分结构特别有利于执行X光扫瞄侦测器系统，其须要大尺寸像素与信号处理电路，并可使信号处理电路与光二极管阵列实体地分开，以便屏蔽信号电路免受X光的辐射损害。
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