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公开(公告)号：CN104969045B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201380054956.3
申请日：2013-08-20
IPC: G01J5/02 , G01J5/20 , H01L27/144
CPC classification number: H01L31/02019 , G01J5/023 , G01J5/0235 , G01J5/024 , G01J5/20 , G01J2005/204 , H01L27/1446
Abstract: 一种用于制造半导体装置的方法包括在互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺期间在衬底(100)上形成至少一个牺牲层(106，108，110)。在所述至少一个牺牲层的顶部上沉积吸收体层(130)。去除所述至少一个牺牲层(106，108，110)的在所述吸收体层下方的一部分以形成间隙(G1)，所述吸收体层的一部分悬挂在所述间隙上方。所述牺牲层能够是CMOS工艺的氧化物，所述氧化物被利用选择性氢氟酸气相干式蚀刻释放工艺去除以形成间隙。所述牺牲层也能够是聚合物层，其中，所述聚合物层被利用氧气等离子体蚀刻工艺去除以形成间隙。
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公开(公告)号：CN104969045A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201380054956.3
申请日：2013-08-20
IPC: G01J5/02 , G01J5/20 , H01L27/144
CPC classification number: H01L31/02019 , G01J5/023 , G01J5/0235 , G01J5/024 , G01J5/20 , G01J2005/204 , H01L27/1446
Abstract: 一种用于制造半导体装置的方法包括在互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺期间在衬底(100)上形成至少一个牺牲层(106，108，110)。在所述至少一个牺牲层的顶部上沉积吸收体层(130)。去除所述至少一个牺牲层(106，108，110)的在所述吸收体层下方的一部分以形成间隙(G1)，所述吸收体层的一部分悬挂在所述间隙上方。所述牺牲层能够是CMOS工艺的氧化物，所述氧化物被利用选择性氢氟酸气相干式蚀刻释放工艺去除以形成间隙。所述牺牲层也能够是聚合物层，其中，所述聚合物层被利用氧气等离子体蚀刻工艺去除以形成间隙。
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公开(公告)号：CN104755890A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201380055299.4
申请日：2013-08-22
Applicant: 罗伯特·博世有限公司 , A·萨马奥 , G·奥布赖恩
CPC classification number: G01J5/20 , G01J5/0853
Abstract: 一种半导体传感器包括衬底和吸收体。所述衬底包括至少一个反射部件。所述吸收体与所述至少一个反射部件间隔开一距离。所述吸收体限定多个开口，所述多个开口中的每一个具有小于或等于所述距离的最大宽度。
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