电离辐射的以扫描为基础的探测中的曝光控制

    公开(公告)号:CN100382752C

    公开(公告)日:2008-04-23

    申请号:CN03805917.7

    申请日:2003-03-12

    CPC classification number: A61B6/502 A61B6/032 A61B6/488 A61B6/542 A61B6/544

    Abstract: 一种用于记录目标的2D图像的设备,所述设备包括多个1D探测器单元(41),当穿过或散射所述目标时,每个1D探测器单元(41)都暴露于电离辐射,并且所述1D探测器单元(41)被布置得用于它们所暴露于其处的各个电离辐射的一维成像。所述探测器单元被分布在密集阵列中以使得来自于所述探测器单元中的电离辐射的1D图像被分布在2D图像的主要部分上。所述设备包括:当所述探测器单元重复检测以形成所述目标的2D图像时用于使得所述探测器单元相对于所述目标移动的装置(87-89、91);以及控制装置,所述控制装置用于(i)控制所述探测器单元以便于在移动的初始部分之前或期间在短时间内检测电离辐射;(ii)计算以短时间检测为基础的重复检测的最优曝光时间;以及(iii)控制重复检测以便于自动地获得最优曝光时间。

    对电离辐射进行检测的检测装置及方法

    公开(公告)号:CN1302292C

    公开(公告)日:2007-02-28

    申请号:CN01807030.2

    申请日:2001-01-12

    Inventor: T·弗兰克

    CPC classification number: H01J47/02 G01T1/185

    Abstract: 一种电离辐射检测装置具有一个充满电解质的腔室(13),一个第一电极(17,19)和一个第二电极(21),所述两个电极设置得使辐射(1)进入在两个电极之间、并和两个电极平行的所述腔室,并被电离,一个电子雪崩放大装置,一个读出装置(29),其中所述电极偏移电离产生的电子,雪崩放大装置放大所述的电子,读出装置检测到电子雪崩。辐射先进入腔室的电极间第一距离为(d1)的第一部分,然后进入电极间第二距离为(d2)的第二部分,第一距离和第二距离是不同的,读出装置设置得使从辐射中产生的电子雪崩在腔室的不同地点被分别检测出。

    射线探测设备和方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1285920C

    公开(公告)日:2006-11-22

    申请号:CN01813905.1

    申请日:2001-06-05

    CPC classification number: G01T1/2935 G01T1/2018

    Abstract: 本发明涉及一种用于探测离子射线的射线探测设备(1;21)以及使用所述探测设备的探测方法。设备包括一适于将入射电离射线(5;27)转化为光的闪烁器(3;25),一适于依靠所述光释放光电子的光电阴极(7;31),一适于对所述光电子进行雪崩放大的电子雪崩放大器(9;35),一适合于检测所述雪崩放大电子的读出装置(11)。电子雪崩放大器(9;35)为一气体雪崩放大器,其放大介质为气体或气体的混合物,还包括优选为阵列的雪崩放大器区域(59)。有利地,一个保护层(33)适合于阻止雪崩气体与光电阴极相接触。

    利用旋转探测器阵列探测电离辐射的装置和方法

    公开(公告)号:CN1633608A

    公开(公告)日:2005-06-29

    申请号:CN03804037.9

    申请日:2003-02-14

    CPC classification number: G01T1/2935

    Abstract: 一种对目标进行二维成像的基于扫描的辐射探测器装置,包括若干个一维探测器单元(41、41a),各一维探测器单元包括入射狭缝(43、43a),电离辐射线在透过所述目标后通过所述入射狭缝进入一维探测器单元,进行电离辐射一维成像,其中,所述若干个一维探测器单元布置成阵列,其相应的入射狭缝(43、43a)互相平行,对着所述电离辐射线的辐射源。这种探测器装置还包括用来使探测器单元阵列在垂直于电离辐射线方向的平面内转动的转动装置(44;64;74;86),而所述探测器单元设置成可重复进行探测,从而形成所述目标的一系列二维图像。

    射线探测设备和方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1446319A

    公开(公告)日:2003-10-01

    申请号:CN01813905.1

    申请日:2001-06-05

    CPC classification number: G01T1/2935 G01T1/2018

    Abstract: 本发明涉及一种用于探测离子射线的射线探测设备(1;21)以及使用所述探测设备的探测方法。设备包括一适于将入射离子射线(5;27)转化为光的闪烁器(3;25),一适于依靠所述光释放光电子的光电阴极(7;31),一适于对所述光电子进行雪崩放大的电子雪崩放大器(9;35),一适合于检测所述雪崩放大电子的读出装置(11;36)。电子雪崩放大器(9;35)为一气体雪崩放大器,其放大介质为气体或气体的混合物,还包括优选为阵列的放大区域(59)。有利地,一个保护层(33)适合于阻止雪崩气体与光电阴极相接触。

    离子辐射的光谱分辨检测

    公开(公告)号:CN1427956A

    公开(公告)日:2003-07-02

    申请号:CN01807684.X

    申请日:2001-01-12

    Inventor: T·弗兰克

    CPC classification number: G01T1/365

    Abstract: 在检测器中用于离子辐射的光谱分辨检测,该检测器包括以可电离的物质填充的室(13)、辐射入口(33)、电子雪崩放大装置和读出结构(29),包括将辐射束(1)以与第一和第二电极结构基本平行地引入到在其间的室中以电离可电离的物质并雪崩放大所述电子。通过读出结构(29)分别检测主要从在引入的辐射束的方向上间隔开的室的部分(X1,X2,…,XN)的电离作用中得到的电子雪崩(SX1,SX2,…,SXN)。从光谱分辨的吸收系数中推导对于所述宽带辐射(1)的不同的光谱分量(E1,E2,…,EM)和对于室的不同的部分(X1,X2,…,XN)的加权系数(W11,W21,…,WM1,W12,W22,…,WM2,…,W1N,W2N,…,WMN),每个所述加权系数与在相应的部分(X1,X2,…,XN)中的相应的光谱分量(E1,E2,…,EM)的光子通量(φ11,φ21,…,φM1,φ12,φ22,…,φM2,…,φ1N,φ2N,…,φMN)基本成比例。最后,通过所述检测的电子雪崩和所述加权系数,推导从通过所述宽带辐射的相应光谱分量的电离作用中得到的相应的检测的电子雪崩(SE1,SE2,…,SEM)。

    基于气体的电离辐射探测器及其制造方法

    公开(公告)号:CN100501446C

    公开(公告)日:2009-06-17

    申请号:CN01817336.5

    申请日:2001-10-12

    CPC classification number: G01T1/185 H01J47/02

    Abstract: 一种用于探测电离辐射的探测器(9),其包括一阴极(17,41);置于这些电极之间的一电离气体;这样设置的一射线入口(33),即电离辐射(1)可以进入并且使电离气体离子化;以及一读出组件。穿过这些电极的一电压使在电离气体离子化期间产生的电子移向阳极,该读出组件(19)在该处探测这些电子。为了减少发生火花的危险,并且/或者为了减少发生火花时的能量,该阴极具有至少面对由电阻率至少为5×10-8Ωm的材料制成的阳极的表面层。

    利用旋转探测器阵列探测电离辐射的装置和方法

    公开(公告)号:CN1307430C

    公开(公告)日:2007-03-28

    申请号:CN03804037.9

    申请日:2003-02-14

    CPC classification number: G01T1/2935

    Abstract: 一种对目标进行二维成像的基于扫描的辐射探测器装置,包括若干个一维探测器单元(41、41a),各一维探测器单元包括入射狭缝(43、43a),电离辐射线在透过所述目标后通过所述入射狭缝进入一维探测器单元,进行电离辐射一维成像,其中,所述若干个一维探测器单元布置成阵列,其相应的入射狭缝(43、43a)互相平行,对着所述电离辐射线的辐射源。这种探测器装置还包括用来使探测器单元阵列在垂直于电离辐射线方向的平面内转动的转动装置(44;64;74;86),而所述探测器单元设置成可重复进行探测,从而形成所述目标的一系列二维图像。

    图像中噪声的降低
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1284118C

    公开(公告)日:2006-11-08

    申请号:CN01816695.4

    申请日:2001-10-05

    Inventor: S·索科洛夫

    CPC classification number: G06K9/40 G06T5/002 G06T5/20

    Abstract: 本发明涉及一种用于降低包含多个像素的数字图像中的噪声的方法,包括以下步骤:向区域(R)添加选取的像素;将接触区域(R)的像素组成对,其中每对像素相对于所述选取的像素对称放置;向区域(R)逐对添加所述组成的对,只要像素对的半和与选取的像素值或区域(R)中像素值的平均值的差的平方未超过与容限等级(L)相乘的所述差的噪声的离差(D);重复所述分组和添加所述组成的对的步骤,直到在添加所述对的所述步骤中,对于任何对均不满足添加所述组成的对的条件;对所述区域(R)的像素值求平均值;以及在重构所述图像时对所述选取的像素使用由此平均的像素值。

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