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公开(公告)号:CN105924553B
公开(公告)日:2018-07-20
申请号:CN201610316901.0
申请日:2016-05-16
申请人: 张智斌 , 河南翰亚微电子材料有限公司
发明人: 张智斌
IPC分类号: C08F112/14 , C08F8/00 , C08F6/08 , G03F7/004
摘要: 本发明属于高分子聚合物化学领域,具体涉及一种分子量窄分布的聚羟基苯乙烯类聚合物的制备方法以及金属杂质提纯,从而应用于半导体光刻胶成膜树脂。具体步骤如下:将对乙酰氧基苯乙烯单体通过ATRP活性自由基聚合,合成分子量窄分布的聚乙酰氧基苯乙烯聚合物;所得聚乙酰氧基苯乙烯聚合物,在稀盐酸催化下发生酯解反应,脱去乙酰氧基保护基团,获得聚对羟基苯乙烯类聚合物,经提纯制得分子量窄分布的聚对羟基苯乙烯类聚合物。本发明由于采用铜盐类卤化物以及烷基胺类配体,在聚合过程中,聚合终止速率较低,聚合增长速率可控,这种分子量窄分布的聚羟基苯乙烯应用于248nm光刻胶成膜树脂,将大幅度的提高光刻胶性能。